一种灯丝型发光二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种灯丝型发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述灯丝型发光二极管芯片包括透明基板、以及依次层叠在透明基板的正面上的未掺杂GaN层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、透明导电层，量子阱发光层包括至少两层第一子层、以及依次层叠在至少两层第一子层上的第二子层和第三子层，第一子层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，第二子层为InGaN量子阱层，第三子层包括交替层叠的AlGaN量子垒层和GaN量子垒层，每层AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量均保持不变，各层AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量沿灯丝型发光二极管芯片的层叠方向逐层递增。本实用新型可以提高芯片发光效率。

主权项

一种灯丝型发光二极管芯片，所述灯丝型发光二极管芯片包括透明基板、以及依次层叠在所述透明基板的正面上的未掺杂GaN层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、透明导电层，其特征在于，所述量子阱发光层包括至少两层第一子层、以及依次层叠在所述至少两层第一子层上的第二子层和第三子层，所述第一子层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述第二子层为InGaN量子阱层，所述第三子层包括交替层叠的AlGaN量子垒层和GaN量子垒层，每层所述AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量均保持不变，各层所述AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量沿所述灯丝型发光二极管芯片的层叠方向逐层递增。