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经营范围
发明名称
Interne Spannungserhöhungsschaltung einer Halbleiterspeichervorrichtung
摘要
申请公布号
DE19646672(A1)
申请公布日期
1997.05.15
申请号
DE19961046672
申请日期
1996.11.12
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR
发明人
YOON, SEI-SEUNG, SEOUL/SOUL, KR;BAE, YONG-CHEOL, SEOUL/SOUL, KR
分类号
G11C11/413;G11C5/14;G11C8/08;G11C11/407;H01L21/8242;H01L27/108;H02M3/07;(IPC1-7):G11C5/14
主分类号
G11C11/413
代理机构
代理人
主权项
地址
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