| 主权项 |
1.一种以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中,一一析像度极限以下之虚模图系形成于一屏蔽上之主模图上以改善析像度。2.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图之大小系取决于一所需之最后精细模图的大小。3.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该主模图及该虚模图系相同色调。4.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该屏蔽包括一半色调相位移屏蔽。5.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中当使用一i线作为一光源时,该虚模图系小于或等于一个可避免光源曝光之大小的0.42m。6.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中使用一深紫外线作为一光源时,该虚模图系小于或等于一个可避免光源曝光之大小的0.3m。7.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该屏蔽之一主模图系多角的。8.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中一精细模图系藉使用一该多角主模图被转成之弯曲的模图而形成于该屏蔽上。9.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图系以相对于该主模图之方向形成。10.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图系形成于一交叉模内。11.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图系由至少一对虚模图所建构而成。12.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该成对的虚模图系相对于该主模图对称地形成。13.如申请专利范围第12项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该成对的虚模图系安设于一交叉的模图内,向该主模图集中。14.如申请专利范围第12项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中各该成对的虚模图系形成于该主模图的腰部。15.如申请专利范围第14项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中各该成对的虚模图系形成于该主模图的腰部,俾相对于该主模图之纵向轴倾斜。16.如申请专利范围第15项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图系以一相对于该主模图之纵向轴成0-180 的角度范围倾斜。17.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图系形成俾连接该主模图之诸角。18.如申请专利范围第1项之以光学方式形成半导体元件之精细模图的方法,其中该虚模图系接近于该主模图或远离该主模图一预定距离处形成。图示简单说明:第一A、一B及一C图分别使用传统式i线屏蔽时之一模图布设当图一光强度截面分布图、及一光阻截面图;第二A、二B及二C图系分别为当使用一传统半色调相位移屏蔽时之一模图布设图、一光强度截面分布图及一光阻截面分布图;第三A及三B图绘示当一接触孔形成于一线/空间模图旁时之层对层重叠公差;第四A、四B及四C图系分别为当使用一根据本发明一第一实施例之一模图布设图、一光强度截面分布图及一光阻截面分布图;第五A与五B及第五A'与五B'图系分别为一传统深紫外线屏蔽与其光强度的截面分布图及一根据本发明之第一实施例之一深紫外线屏蔽;第六A、六B及六C图分别系使用根据本发明第二实施例之半色调相位移屏蔽时之一模图布设图、一光强度截面分布图、及一光阻截面分布图;第七A、七B及七B图系绘示一根据光源之能量之接触触孔的改变。第八A、八B及八C图系根据本发明之第二实施例之解释在半色调相位移形成虚空间的方法;第九A-九C至十一A-十一C系分别为当使用一传统屏蔽及一根据本发明一第三实施例之半色调屏蔽时之空中像之光阻截面分布图;第十二-十五图绘示传统屏蔽模图及根据本发明第三实施例之屏蔽模图的模拟结果;第十六A、十六B及十六C图系分别为使用根据本发明第四实施例之屏蔽时之一模图布设图、一光强度截面分布图及一光阻截面分布图。第十七A-十七C图及第十七D-十七F图系比较传统半色调相位移屏蔽及根据本发明第二实施例二者的特性;第十八A-十八C图及第十八D-十八F图绘示传统i线屏蔽之模图及根据本发明第一实施例之屏蔽的模拟结果;第十九A与十九B及十九C与十九D图绘示传统深紫外线屏蔽之模图与根据本发明之第一实施例之屏蔽之模图的模拟结果;第二十A-二十C图及第二十A'-二十C'图各绘示根据本发明第五实施例之屏蔽的模图布设及光阻截面分布图;第二一A与二一B及二一A'与二一B'图各绘示根据本发明第六实施例之屏蔽的模图布设及光阻截面分布图;第二二A与二二B及二二A'及二二B'图各绘示根据本发明第七实施例之屏蔽的模图布设及光阻截面分布图;第二三-二六图绘示传统式屏蔽模图的模拟结果及根据本发明第七实施例之屏蔽之模拟结果;第二七图绘示一传统式屏蔽及屏蔽模图布设;第二八-三一图绘示根据第三至第六实施例之屏蔽模图及屏蔽模图布设;第三二A及第三二B-三二D图系根据一传统方法实际屏蔽及根据本发明之实际屏蔽模图的照片;第三三、三四及三五图各绘示根据本发明第七实施例之屏蔽模图及屏蔽布设;及第三六-四四及四五A-四五C图各绘示根据本发明第七实施例之屏蔽模图及屏蔽 |
