发明名称 功率因数校正装置
摘要 本案系为一种功率因数校正装置,该装置包含:一整流装置,其系用以输入一第一振幅之交流电压信号与一第二振幅之交流电压信号中之一,其中该第一振幅大于该第二振幅;一切换装置,其系用以进行导通/关闭之切换动件;一磁能储存元件,电连接于该整流装置与该切换装置,其系于该切换装置导通时用以将该等电准位信号所传送之一电能转为一磁能储存;以及一电荷储存元件,电连接于该磁能储存元件,其系于该切换装置关闭时用以接收该磁能储存元件所储存之磁能并以电能储存,其包含两个所耐电压大于该第二振幅且小于或等于该第一振幅之电容,当该第一振幅之交流电压信号输入时处于一串联组态,而当该第二振幅之交流电压信号输入时处于一并联组态。
申请公布号 TW311774 申请公布日期 1997.07.21
申请号 TW085218032 申请日期 1996.11.22
申请人 台达电子工业股份有限公司 发明人 巴曼.雪瑞佛伯;廖培深
分类号 H02J3/18 主分类号 H02J3/18
代理机构 代理人 蔡清福 台北巿忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种功率因数校正装置,该装置包含:一整流装置,其系用以输入一第一振幅之交流电压信号与一第二振幅之交流电压信号中之一,其中该第一振幅大于该第二振幅;一切换装置,其系用以进行导通/关闭之切换动作;一磁能储存元件,电连接于该整流装置与该切换装置,其系于该切换装置导通时用以将该等电准位信号所传送之一电能转为一磁能储存;以及一电荷储存元件,电连接于该磁能储存元件,其系于该切换装置关闭时用以接收该磁能储存元件所储存之磁能并以电能储存,其包含两个所耐电压大于该第二振幅且小于或等于该第一振幅之电容,当该第一振幅之交流电压信号输入时处于一串联组态而当该第二振幅之交流电压信号输入时处于一并联组态。2.如申请专利范围第1项所述之功率因数校正装置,其中该整流装置系为一桥式整流装置。3.如申请专利范围第1项所述之功率因数校正装置,其中该切换装置系为一金氧半场效电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之功率因数校正装置,其中磁能储存元件系为一电感。5.如申请专利范围第1项所述之功率因数校正装置,其中该电荷储存元件中更包含一电压选择开关,电连接于该整流装置,其系用以因应该第一振幅之交流电压信号输入时切换至该串联组态而于该第二振幅之交流电压信号输入时切换至该并联组态。6.如申请专利范围第1项所述之功率因数校正装置,其中输入该整流装置之该第一振幅之交流电压信号与该第二振幅之交流电压信号之该第一振幅与该第二振幅系分别为220伏特与110伏特,而该等电容所耐电压系为200伏特。图示简单说明:第一图:习知一具有单级功率因数校正装置之电源供应器之方块示意图。第二图:习知应用于电源供应器之主动式单级PFC电路图。第三图:(a)至(c)为本案之一较佳实施例之电路构造与动作之示意图。
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