| 主权项 |
1.一种半导体装置包括以固化树脂包胶的半导体元件,其中该固化树脂含有至少两个藉热机械分析测量得自线性热膨胀二次微分峰,及峰间间隔至少20℃。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该固化树脂为至少两种树脂组合物混合物之固化产物,各种树脂组合物具有不同的玻璃转变点(Tg)而温差至少为20℃。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体元件载于基片上,于基片上的半导体元件以固化树脂包胶而半导体装置之包胶系仅包胶基片之载有半导体装置该侧的单面包胶。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该固化树脂为环氧树脂-酚树脂固化系统树脂组合物之固化产物。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该固化树脂为下列树脂组合物(a)与树脂组合物(b)之混合物之固化树脂产物,而树脂组合物(a)与树脂组合物(b)之混合物之有机树脂成分浓度占5至20%重量比;(a):一种树脂组合物其固化产物具有玻璃转变温度(Tg)由170至250℃,(b):一种树脂组合物其固化产物具有玻璃转变温度(Tg)由100至140℃。图示简单说明:图一为结构图显示单面包胶半导体装置之具体例;图二为结构图显示其中于单面包胶半导体装置形成热阱之具体例;图三为结构图显示使用引线框架及热阱之单面包胶半导体装置之具体例;图四为结构图显示单面包胶半导体装置之另一具体例;图五为半导体装置翘曲测量状态说明图;图六(A)为图表显示习知半导体装置所用固化树脂进行TMA测量结果之一例;图六(B)为图表系经由一次微分图六(A)之TMA测量结果而得;图六(C)为图表系经由二次微分图六(A)之TMA测量结果而得;图七(A)为图表显示用于本发明之半导体装置之固化树脂之TMA测量结果之一例;图七(B)为图表系经由二次微分图七(A)之TMA测量结果而得;及图八为结构图显示热元件载于热阱上之半导体装置之具体例。 |
