| 主权项 |
1.一种应用于化学机械研磨制程后之光罩结构,包括:一晶方视窗、一环状边缘区、一第一清除视窗、以一第二清除视窗,其中,该环状边缘区将该晶方视窗围绕于中央部份,而该第一清除视窗和该第二清除视窗位于该环状边缘区之一侧;其特征在于:该第二清除视窗具有较该第一清除视窗大的尺寸。2.如申请专利范围第1项所述之该应用于化学机械研磨制程后之光罩结构,适用于表面沈积有氧化矽层之晶圆,该氧化矽层业经化学机械研磨呈全面平坦化。3.如申请专利范围第2项所述之该应用于化学机械研磨制程之光罩结构,其中,该晶圆经蚀刻具有标记。4.如申请专利范围第3项所述之该应用于化学机械研磨制程之光罩结构,其中,该标记是对准标记。5.如申请专利范围第3项所述之该应用于化学机械研磨制程之光罩结构,其中,该标记是雷射标记。6.如申请专利范围第3项所述之该应用于化学机械研磨制程后之光罩结构,系藉由该第二清除视窗定义开口,蚀刻该氧化矽层露出该标记。第一图所示为一半导体晶圆的顶视图;第二A-二B图所示为习知经化学机械研磨后,造致标记无法辨认的制程剖面图;第三A-三B图所示为习知改善标记无法辨认的制程剖面图;第四图所示为习知一应用于化学机械研磨制程后之光罩结构示意图;以及第五图所示为根据本创作一较佳实施例的示意图。 |
