一种具有超高闸藕合比例之鳍型快闪记忆元的制造方法

摘要

本发明是关于快闪记忆体的制造方法。首先，在矽半导体基板上形成场氧化层和隧穿氧化层 (tunnel oxide) ，然后，形成第一复晶矽图案和第一复晶矽间介电膜（first inter-polysi dielectric）。接着，形成第二复晶矽图案，所述第二复晶矽图案在所述场氧化层之间形成第一开口，再接着形成第二复晶矽间介电膜。然后，在所述场氧化层之间形成第二开口，所述第二开口之宽度小于所述第一开口。然后，形成第三复晶矽图案和第三复晶矽间介电膜。接着 ， 露出「第二复晶矽图案」的侧面，然后，形成控制闸极（controlled gate），一种具有鳍型漂浮闸极（FIN floating gate） 和高闸藕合比例之快闪记忆体于焉完成。

主权项

1.一种快闪记忆体(flash E剖面示意图。图五是形成形成形成场氧化层、隧穿氧化层、第一复晶矽图案和第一复晶矽间介电膜后的制程剖面示意图。图六是形成第二复晶矽图案后的制程剖面示意图。图七形成第二复晶矽图案以在所述场氧化层之间形成第一队f后的制程剖面示意图。图八是利用微影技术与电浆蚀刻技术蚀去所述场氧化层之间的所述第一复晶矽图案以形成第二开口后的制造剖面示意图。图九是形成第三复晶矽后的制程剖面示意图。图十是形成第三复晶矽后的制程剖面示意图。图十一是形成第三复晶矽图案后的制程剖面示意图。图十二是利用微影技术与电浆蚀刻技术蚀去所述「第二复晶矽图案」侧面的第二复晶矽间介电膜,以露出所述「第二复晶矽图案」的侧面后的制程剖面示意图。图十三是形成第四复晶矽图案后的制程剖面示意图。