发明名称 电流对电压转换器
摘要 一种电流对电压转换器,适用于设在一高电位源与一低电位源之间,用之将电流流出端耦合至上述低电位源之电流源的电流转换成电压而由一输出端输出,上述电流对压转换器包括:一第一PMOS场效电晶体,其源极耦合至上述高电位源,且其闸极耦合至当作上述输出端的汲极;一第二PMOS场效电晶体,其源极耦合至上述高电位源,且其闸极耦合至上述第一PMOS场效电晶体的闸极;一第一NMOS场效电晶体,其汲极耦合至上述第二PMOS场效电晶体的汲极,而其源极耦合至上述低电位源,且上述第一NMOS场效电晶体的闸极耦合至其汲极;以及一第二NMOS场效电晶体,其汲极耦合至上述第一PMOS电晶体的汲极,而其闸极耦合至上述第一NMOS场效电晶体的闸极,且上述第二NMOS场效电晶体的源极耦合至上述电流源的电流流入端。且上述第一NMOS场效电晶体及第二NMOS场效电晶体的源极可经由一辅助电流源而耦合至上述低电位源。藉由上述本创作之电流对电压转换器,则能够增加灵敏度以及加速安定时间(setting time)。
申请公布号 TW314287 申请公布日期 1997.08.21
申请号 TW082217810 申请日期 1993.12.07
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 吴德顺;符识钧
分类号 H02M11/00 主分类号 H02M11/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种电流对电压转换器,适用于设在一高电位源与一低电位源之间,用以将电流流出端耦合至上述低电位源之电源的电流转换成电压,而由一输出端输出,上述电流对压转换器包括:一第一PMOS场效电晶体,其源极耦合至上述高电位源,且其闸极耦合至当作上述输出端的汲极;一第二PMOS场效电晶体,其源极耦合至上述高电位源,且其闸极耦合至上述第一PMOS场效电晶体的闸极;一第一NMOS场效电晶体,其汲极耦合至上述第二PMOS电晶体的汲极,而其源极耦合至上述低电位源,且上述第一NMOS场效电晶体的闸极耦合至其汲极;以及一第二NMOS场效电晶体,其汲极耦合至上述第一PMOS电晶体的汲极,而其闸极耦合至上述第一NMOS场效电晶体的闸极,且上述第二NMOS场效电晶体的源极耦合至上述电流源的电流流入端。2.如申请专利范围第1项所述之电流对电压转换器,其中,上述第一NMOS场效电晶体及第二NMOS场效电晶体的源极系经由一辅助电流源而耦合至上述低电位源。3.如申请专利范围第2项所述之电流对电压转换器,其中,上述辅助电流源包括:一第三NMOS场效电晶体,其汲极耦合至上述第一NMOS电晶体的源极,而其源极耦合至上述低电位源,且上述第三NMOS场效电晶体的闸极耦合至其汲极;以及一第四NMOS场效电晶体,其汲极耦合至上述第二NMOS电晶体的源极,而其源极耦合至上述低电位源,且上述第四NMOS场效电晶体的闸极耦合至上述第三NMOS场效电晶体的闸极。图示简单说明:第一图系显示习知电流对电压转换器的电路图;第二图系显示本创作之电流对电压转换器之第一实施例的电路图;以及第三图系显示本创作之电流对电压转换器之第二实施例的电路图。
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号