| 主权项 |
1.一种利用在同反应条件下,形成于光阻层侧壁上的聚合物间隙壁,以形成一凹穴的方法,其步骤包括:提供一半导体基底,该半导体基底上覆盖有一非导电层;于该非导电层上,沈积及定义一光阻层之图案,以在该非导电层上露出欲用于形成该凹穴之一预定面积;沈积一聚合物层以覆盖该光阻层及该凹穴之预定面积;非等向的蚀刻该聚合物层以形成该光阻层侧壁上之聚合物间隙壁;以及蚀刻该非导电层至露出该半导体基底,以形成该凹穴。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所形成之该凹穴选自一接触窗,一线间距,及一渠沟之群组之一。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该聚合物侧间隙壁系以反应离子蚀刻技术形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其步骤更包括一将该光阻层从该非导电层上去除之步骤。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中沈积该聚合物层所使用的反应气体,和在该非导电层上蚀刻该凹穴所使用的反应气体大致相同。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中沈积该聚合物层所使用的反应气体系包括CHF3。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中沈积该聚合物层所使用的反应气体系包括CHF3,C4F8,和CO。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中使用该聚合物侧间隙壁为罩幕,以在该非导电层中形成凹穴。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该聚合物层之沈积步骤,形成该聚合物层之蚀刻步骤,以及该凹穴之蚀刻步骤是在同一个反应室中进行。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非导电层中之该凹穴系经氧化乾蚀刻步骤完成。11.一种在非导电层内形成凹穴的方法,其步骤包括:提供一半导体基底,在该半导体基底上沈积一非导电层;在该非导电层上形成一经定义图案之光阻层;均匀的沈积一聚合物层于该非导电层,以及该光阻层之上;蚀刻该聚合物层以形成该光阻层上之聚合物侧间隙壁;以及蚀刻该非导电层至露出该半导体基底,以形成该凹穴。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该非导电层系由介电材料所形成。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该半导体基底系一矽基底。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该聚合物层及该非导电层系以乾蚀刻技术形成。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成之该凹穴系接触窗或线间距。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤更包括一利用含氧电浆去除法和湿式清除法,将光阻层38去除之步骤。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成于该非导电层内之该凹穴,其直径不大于0.5um。18.一种在单一反应室中形成一接触窗的方法,其步骤包括:提供一矽基底;沈积一介电层于该矽基底上;沈积一光阻层于该介电层上;定义该光阻层之图案以形成一第一开口至露出该介电层,用以制作该接触窗;均匀的沈积一聚合物层于该第一开口及该光阻层上;非等向蚀刻该聚合物层,在该第一开口中形成一聚合物侧间隙壁,覆盖该光阻层;以该些聚合物侧间隙壁为罩幕,非等向蚀刻该介电层以形成一第二开口至露出该矽基底,其中该第二开口将会小于该第一开口,使更窄的接触窗得以形成;从该介电层上移去该光阻层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该第二开口的直径较该第一开口直径的一半更小。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该聚合物层是以一反应气体沈积,且该反应气体相似于非等向蚀刻步骤中所使用之反应气体。图示简单说明: 第一图系习知半导体基底之放大剖面图,其中基底上有一介电层,介电层上定义一光阻层之图案。 第二图系第一图之半导体元件,在该介电层上形成具有垂直侧壁的接触窗。 第三图系本发明半导体基底之放大剖面图,其中基底上有一介电层,介电层上定义一光阻层之图案,在光阻层和介电层上均匀形成一聚合物层。 第四图系第三图之半导体元件,在光阻层侧壁上形成聚合物侧间隙壁。 第五图系第四图之半导体元件,以聚合物侧间隙壁为罩幕,经乾蚀刻步骤形成接触窗。 |
