半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种动态随机存取存储器或诸如此类，为了防止电容性元件的击穿电压变劣，当采用CVD法在构成电容性元件的电容器绝缘膜的钽膜上淀积电极材料和TiN膜时，预先在氧化钽膜表面上形成钝化膜，以此避免采用含钛源气体和含氮还原气体通过CVD法，在氧化钽膜上淀积TiN膜时，氧化钽膜与含氮还原气体接触。

主权项

1.一种具有电容性元件的半导体集成电路器件，包括：下电极；具有包括形成于所述下电极之上的强介电膜在内的一种或多种膜的电容器绝缘膜；具有包括形成于所述电容器绝缘膜之上的氮化钛膜在内的一种或多种膜的上电极；其中，通过由不含还原气体条件下的低温CVD法形成的钝化膜，在所述强介电膜之上形成所述电容性元件的上电极。