用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置

摘要

本发明公开了有一可将电磁波引入反应器中激发等离子体的电介元件的等离子体加工装置。一用于减少等离子体中电容耦合部分并有传导电磁波和加热元件的功能的金属电阻片3埋于电介元件内。本装置通过减少电容耦合来预防电介质元件的溅蚀，控制电介质的加热来抑制电介质上蚀刻物的沉积，缓解了污染粒子的产生，提高了蚀刻条件的稳定。

主权项

1、一种等离子体加工装置，它包括：一个具有一个将所述的真空反应室的内外隔开的器壁的真空反应容器，所述的器壁有一个电介部分和一个电接地的导电部分；一个放置在所述的真空反应容器外面并与所述的电介部分相邻的扁平电线圈；一个借助一个主要的调谐机制为所述线圈提供高频电流的主高频电源；为所述的真空反应容器所述的内部提供多种加工气体的部件；一个置于所述的真空反应容器内的与所述的电介部分相对的、且其上可固定所加工样品的低电极；一个借助调谐机制向所述的低电极提供高频电压的次高频电源；一个具有埋于所述的电介部分之内的、能传导电磁波、并能升高所述电介部分温度的金属片的电磁波传导加热元件；一个借助一能够截止电磁波的滤波器向电磁波传导加热元件提供直流电的直流电源；一种测量所述电介部分温度的温度测量部件；以及一个基于通过所述温度测量部件测得的所说温度来控制源于直流电源送往所说电磁传导加热元件的直流电的控制器。