| 主权项 |
1.一种藉由失败分析回授来控制一半导体制程之方法,该方法包括下列步骤:a)藉由获致当良率降低或仪器问题发生时每一批晶片之良率与半导体仪器之制程条件的相互关系来建立具有异常制程条件资料的监控资料库;b)藉由即时而连线地获致运转中之半导体仪器的特定制程条件来建立一仪器资料库;c)比较即时获致之上述半导体仪器的上述特定制程条件和上述监控资料库的异常制程条件;以及d)当即时获致之上述特定制程条件与上述监控资料库之上述异常制程条件间的相似超过一预定水准时,停止在相应制程中之上述半导体仪器的运转。2.如申请专利范围第1项所述藉由失败分析回授以控制一半导体制程之方法,其中上述建立一监控资料库之阶段包含以下步骤:a)对每一批晶片分类良率资料,拣选出良率异常降低者或因仪器问题致良率变动者;b)连结仪器运转经历以及相应之仪器编号,并参考上述仪器资料库以分析拣选出之良率资料的失败原因;c)对每批晶片藉由自上述仪器资料库读取连结之仪器运转经历来编集制程条件之资料;以及d)基于所编集之资料制作一报告,并且显示出每批晶片相应于上述仪器之良率趋势。3.一种藉由失败分析回授来控制一半导体制程之方法,该方法包括下列步骤:a)藉由获致当良率降低或仪器问题发生时每一批晶片之良率与半导体仪器之制程条件的相互关系来建立具有异常制程条件资料的监控资料库;b)藉由即时而连线地获致运转中之半导体仪器的特定制程条件来建立一仪器资料库;c)比较即时获致之上述半导体仪器的上述特定制程条件和上述监控资料库的异常制程条件;以及d)当即时获致之上述特定制程条件与正常制程条件间的差异超过一预定水准时,停止在相应制程中之上述半导体仪器的运转。图示简单说明:图一系描绘前技之失败分析系统的系统图形;以及图二系描绘依本发明之一实施例,藉失败分析回授控制半导体制程的方法之系统图形。 |
