半导体离子布植光罩色调错误检验方法

摘要

本发明系关于一种半导体离子布植光罩色调错误检验方法，尤指一种可在制作离子布植光罩之前，即可判断出光罩色调是否有调配错误问题者(MASK TONE ERROR)，此检查方法主要为将最容易发生色调调配错误之Ｎ井区、Ｐ井区、Ｎ＋源／汲极区、Ｐ＋源／汲极区之光罩图形数位化资料间计算出相互间的图形重叠比率(PATTERN RATIO)(ＰＲ) ，而藉此计算取得之比值与一基准备比较，若高于此基准值时，即表示相应之光罩色调调配有误，而上述资料比对及取得重叠比率仅需透过软体计算即可迅速获得，故提供一种可降低制程错误率之光罩色调正确与否之检验方法。

主权项

1.一种半导体离子布植光罩色调错误检验方法,包括:一为针对数位化转换后的各离子布植光罩图形资料之间进行透光区域进行逻辑运算,以取得各离子布植光罩图形间之透光区域相互重叠区域数値大小的步骤;一取出前述取得之各别透光重叠区域数値,再除以光罩窗口透光区域数値,而取得各别透光重叠区域之比値之步骤;以上述各别取得比値与一基准数値比较之步骤;若前述比値若大于基准数値时,送出表示特定光罩间色调有误之讯息,以便于进行后续故障排除者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该逻辑运算步骤包括:以AND或NOT处理之步骤者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该取得之比値可再经换算为百分比之步骤。4.如申请专利范围第1项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中离子布植光罩之检验步骤,系指:P型井区、N型井区、P+源/汲极区、N+源/汲极区及P/N型区者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该基准値为在0.05-0.1之间者。6.如申请专利范围第4项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该进行N型井区与P型井区间为以AND逻辑运算,且该基准値为0.05。7.如申请专利范围第4项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该进行N型井区与P型井区间为以AND逻辑运算,且该基准値为0.05。8.如申请专利范围第4项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该进行P+源/汲极区与N+源/汲极区间为以AND逻辑运算,且该基准値为0.05。9.如申请专利范围第4项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该进行P+源/汲极区与N型井区间为以NOT逻辑运算,且该基准値为0.1。10.如申请专利范围第4项所述之半导体离子布植光罩色调错误检验方法,其中该进行N+源/汲极区与N型井区间为以AND逻辑运算,且该基准値为0.1。图示简单说明:第一A、B图:系于检验各布植层色调步骤中加入一自动化检验程式之光罩制作流程图。第二图:系习知半导体制作流程图。