用于制造具有有机基质之防潮半导体装置之方法

摘要

一种制造具有有机基质之防潮半导体装置的方法 ， 此方法针对半导体装置内可造成界面剥离及装置爆裂之每一关键的界面。设计一有机基质 (110)，使其包含一无空隙的接收垫(116)，垫上有化学方式形成的氧化层(118)。将以矽酮为主的晶粒黏着剂(108)分,配于接收垫上，其后使黏着剂迅速地胶凝以防止黏着剂过多的稀出 。 经过清除半导体晶粒(102)背面不洁物的清洗步骤后，半导体晶粒就安装在基底上 。在塑模复合物密封前和晶粒黏着剂凝固后，清洗基底以改良的晶粒黏着剂连接边 (122)之黏着性。这些制程的运用是针对下列界面以改良这些界面的黏附性 ：晶粒黏着剂到晶粒垫间 ：晶粒黏着剂到晶粒间；塑模复合物到晶粒垫间；及塑模合物到晶粒黏着剂间。

主权项

1.一种制造抗潮湿半导体装置的方法,其步骤包含:提供一有机基质,此基底有上表面、下表面、终点终止于上表面上之复数黏接垫之复数导电线,位在上表面晶粒接收垫、和晶粒接收垫上有一以化学方式形成的氧化层;分配以矽酮为主的晶粒黏着剂于晶粒接收垫之化学形成的气化层上;提供一半导体晶粒;将半导体晶粒放置在以矽酮为主的晶粒黏着剂上之晶粒接收垫的区域内;使以矽酮为主的晶粒黏着剂凝固;电气连接半导体晶粒到多数的导线黏接垫上;及用塑胶将半导体晶粒和部份的有机基质上表面密封住。2.根据申请专利范围第1项的方法,其中在使以矽酮为主的晶粒黏着剂凝固步骤之后,再包括清洗以矽酮为主的晶粒黏着剂的步骤。3.一种制造抗潮湿半导体装置的方法,其步骤包含:提供一有机基质,此基底包含:一表面、在该表面上制成复数之导电线、和在表面上晶粒接收区域内制成的晶粒接收垫,其中该复数之导电线是由盖在表面上的电镀铜制成,该晶粒接收垫是由铜制成,其上有一以化学方式制作的气化层,该晶粒接收垫在连续的晶粒接收区域内是无空隙的金属图案;提供一半导体晶粒;将以矽酮为主的晶粒黏着剂分配于晶粒接收垫上;用以矽酮为主的晶粒黏着剂将半导体晶粒黏附于晶粒接收垫上;电气连接半导体晶粒到复数之导电线;及用树脂塑模复合物将半导体晶粒和部份的有机基质上表面密封住。4.如申请专利范围第3项之方法,其中半导体晶粒黏附步骤导致在半导体晶粒周围形成一片状的以矽酮为主的晶粒黏着剂,并在密封步骤前再包括清洗片状晶粒黏着剂的步骤。5.一种制造抗潮湿半导体装置的方法,其步骤包含:提供一半导体晶粒,此晶粒有一使用的正面和不使用背面;清洗半导体晶粒不使用的背面;提供一有机基质,此基底包含:上表面、下表面、上表面有金属导线的图案、一面积比半导体晶粒大的晶粒接收垫,接收垫上连续的表面有一无空隙的金属图案,及在晶粒接收垫制作一氧化层;将以矽酮为主的晶粒黏着剂分配于晶粒接收垫上;用以矽酮为主的晶粒黏着剂将半导体晶粒黏附于晶粒接收垫上;在分配步骤3分钟内,使以矽酮为主的晶粒黏着剂胶黏,防止过度的稀出;使以矽酮为主的晶粒黏着剂凝固;电气连接半导体晶粒到具图案的金属线;及用树脂塑模复合物将半导体晶粒和部份的有机基质上表面密封住。图示简单说明:图一是依本发明的具体实施例中,制造具有有机基质的半导体装置之制造流程图。图二是依本发明的具体实施例中和依图一的制造流程图所制造的具有机基质通称为PBGA的塑胶密封半导体装置之截面图。图三是图二中所说明有机基质的晶粒接收垫由上向下的俯视图。