| 主权项 |
1.一种电路化基板,包括:包含第一表面之介电层;置于该介电层第一表面上之导体;及用以避免其上之液体材料流动之障壁元件,该障壁元件包含置于邻接该导体之该介电层该第一表面上之第一构造之第一部份及置于该第一部份上之第二构造之第二部份,该障壁元件之该第一部份提供比该障壁元件之第二部份对该液体材料而言更大之表面张力而足以避免该液体材料流超出该第一部份。2.根据申请专利范围第1项之电路化基板,其中该介电层系由聚合物材料所构成。3.根据申请专利范围第2项之电路化基板,其中该聚合物材料为聚醯亚胺。4.根据申请专利范围第1项之电路化基板,其中该障壁元件之第一部份系由第一金属或金属合金所构成。5.根据申请专利范围第4项之电路化基板,其中该障壁元件系由与该第一金属或金属合金不同之第二金属或金属合金所构成。6.根据申请专利范围第5项之电路化基板,其中该第一金属或金属合金系由铜所构成及该第二金属或金属合金系由贵金属所构成。7.根据申请专利范围第6项之电路化基板,其中该贵金属为金。8.根据申请专利范围第7项之电路化基板,其中该铜仅具有约0.0005至0.0015英寸之厚度及该金具有约20至90微英英寸之厚度。9.根据申请专利范围第5项之电路化基板,其中该障壁元件之该第二部份包含第一及第二部件,该第二部份之该第一部件系由第三金属或金属合金所构成。10.根据申请专利范围第9项之电路化基板,其中该第三金属或金属合金不同于该第一及第二金属或金属合金。11.根据申请专利范围第9项之电路化基板,其中该第一金属或金属合金系由厚度约0.0005至0.0015英寸之铜所构成,该第二金属或金属合金系由厚度约20至90微英寸之金所构成,及该第三金属或金属合金系由厚度约20至90微英寸之镍所构成。12.根据申请专利范围第1项之电路化基板,其中该障壁元件之该第一部份包含可与该介电层表面形成第一角度之表面。13.根据申请专利范围第12项之电路化基板,其中该障壁元件之该第一部份之该表面与该介电层之该表面间之该第一角度为约45至90度。14.根据申请专利范围第12项之电路化基板,其中该障壁元件之该第二部份包含可与该障壁元件之该第一部份之该表面形成第二角度之表面。15.根据申请专利范围第14项之电路化基板,其中该第二角度为约45至135度。16.根据申请专利范围第1项之电路化基板,其中该障壁元件之该第一部份包含实质上弯曲之表面。17.根据申请专利范围第1项之电路化基板,其中该导体为导热性的且包含邻置于该障壁元件之第一部件。18.根据申请专利范围第17项之电路化基板,其中该导体之第一部件系由铜或铜合金所构成。19.根据申请专利范围第17项之电路化基板,其中该导体包含连接于该导体之该第一部件之第二部件。20.根据申请专利范围第19项之电路化基板,其中该导体之该第二部件系由铜或铜合金所构成。21.根据申请专利范围第19项之电路化基板,又包含在邻接该导体之该介电材料中之孔洞。22.根据申请专利范围第21项之电路化基板,其中该导体之该第二部件系穿过该孔洞。23.一种形成电路化基板之方法,该方法包括:提供具有第一表面之介电层;在该介电层之该第一表面上设置导体;及在该介电层之该第一表面上形成用以避免其上之液体材料流动之障壁元件,系藉由先在邻接该导体之该介电层之该第一表面上形成第一部份且随后在该障壁元件之该第一部份上形成第二部份,该障壁元件之该第一部份具有第一构造及该障壁元件之该第二部份具有第二构造,该第一部份提供比该第二部份对该液体材料而言更大之表面张力,因而实质上可避免该液体材料流过该第一部份。24.根据申请专利范围第23项之方法,其中该障壁元件之该第一部份系使用微影制程形成者。25.根据申请专利范围第24项之方法,其中形成该障壁元件之该第一部份之步骤包含在该介电层之该第一表面上沉积金属晶核层。26.根据申请专利范围第25项之方法,其中该晶核层之沉积系使用溅射沉积法完成者。27.根据申请专利范围第26项之方法,其中该第一部份系进一步藉由沉积光阻剂、照射该光阻剂、化学移除部份之该光阻剂且随后进行电镀操作所形成的。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中该第二部份系藉电镀形成者。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中预定之第一角度系使用化学蚀刻操作在该障壁元件之该第一部份与该介电层之该第一表面间形成的。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中预定之第二角度系使用化学蚀刻操作在该障壁元件之该第一部份与该障壁元件之该第二部份间形成的。31.根据申请专利范围第23项之方法,又包含在邻接该导体之该介电层内形成孔洞。32.根据申请专利范围第31项之方法,其中该孔洞系藉由在该介电层上沉积光阻剂、照射该光阻剂之经选择部位、化学移除该光阻剂之经选择部位及化学移除其上不具有该光阻剂之该介电层部份。33.根据申请专利范围第31项之方法,又包含形成该导体之第二部件,该导体之该第二部件穿过该孔洞。34.根据申请专利范围第33项之方法,其中该第二部件系使用电镀操作形成的。35.根据申请专利范围第23项之方法,其中该障壁元件之该第一部份之形成包括在该介电层上层化一金属层。36.根据申请专利范围第35项之方法,其中该障壁元件之该第二部份系藉由在该障壁元件之该第一部份上沉积光阻材料、照射该光阻材料、化学移除部份之该光阻材料且随后进行电镀操作而形成的。37.根据申请专利范围第36项之方法,其中该障壁元件之该第一部份系进一步藉由移除该光阻材料及化学蚀刻该层化金属层而形成,该第二部份在该层合金层层之该化学蚀刻期间系作为蚀刻剂面罩。38.根据申请专利范围第37项之方法,又包含在该障壁元件之该第一部份内形成可与该介电层之该表面形成第一角度之表面。39.根据申请专利范围第38项之方法,又包含在该障壁元件之该第二部份内形成可与该障壁元件之该第一部份之该形成表面形成第二角度之表面。图示简单说明:第一图系依据本发明一具体例之具有沉积金属层之基础基板放大视图;第二图说明依据本发明一具体例添加光阻层之第一图之基板及层;第三图说明第二图之基板接着依据本发明一具体例形成障壁元件之第一及第二部份及邻接电路;第四图说明对第三图基板两侧涂以光阻材料之电路化基板,此材料经曝光并显影而曝露一侧(第四图中之底部)上之介电材料,且接着移除(如藉化学蚀刻)介电材料;第五图说明第四图之电路化基板接着依据本发明一具体例于介电材料之开孔内形成两部份之导体;第六图说明第五图之电路化基板接着移除第一图具体例中沉积之金属层;第七图说明依据本文技术形成之基板电路及障壁装置两者上涂布封装材料后之第六图之电路化基板;及第八图为说明依据本发明一具体例之障壁装置(特别是由其表面所形成之多种角度)之进一步放大视图(与第一-七图相较)。 |
