发明名称 相移式光罩的制造方法
摘要 一种相移式光罩的制造方法,利用半导体制程中间隙壁形成的技术来制作相移层。其优点为所形成的相移层大小及形状较容易控制,可简化光罩的制作。
申请公布号 TW319835 申请公布日期 1997.11.11
申请号 TW086101762 申请日期 1997.02.14
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 黄健朝
分类号 G03F9/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种相移式光罩的制造方法,包括下列步骤:提供一光罩基底,并依序在该光罩基底上形成一第一相移层及一遮蔽层;蚀刻该遮蔽层及第一相移层,以暴露出该光罩基底,形成一开口;在该光罩基底上方形成一第二相移层;以及回蚀刻该第二相移层,以在该开口内的该遮蔽层与该第一相移层的边墙上,形成一间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该光罩基底为一石英基底。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一相移层,该遮蔽层,及该第二相移层为一铬薄膜。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一相移层,该遮蔽层,及该第二相移层为一铬氧化物薄膜。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一相移层,该遮蔽层及该第二相移层系利用组成材质的密度不同,以具有不同的透光率。6.一种相移式光罩的制造方法,包括下列步骤:提供一光罩基底,并在该光罩基底上形成一遮蔽层;蚀刻该遮蔽层,以暴露出该光罩基底,形成一开口;在该光罩基底上方形成一相移层;以及回蚀刻该相移层,以在该开口内的该遮蔽层边墙上,形成一间隙壁。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该光罩基底为一石英基底。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该相移层及该遮蔽层为一铬薄膜。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该相移层及该遮蔽层为一铬氧化物薄膜。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该相移层与该遮蔽层系利用组成材质的密度不同,以具有不同的透光率。图示简单说明:第一a-一c图绘示一种传统相移式光罩的制造方法,以及第二a-二d图绘示本发明之较佳实施例,第一种相移式光罩的制造方法。第三a-三d图绘示本发明之较佳实施例,第二种相移式光罩的制造方法。
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