| 主权项 |
1.一种放电加工装置,系于对于电极与被加工物之间施加脉冲电压,经由NC控制施行三次元控制,由此施行所希望之形状加工之放电加工装置,其特征为:具备分别记忆预先由前加工施行开缝(slit)状之一次加工后,由前述一次加工形成之加工形状之二次元轮廓路径,欲加工之侧面倾斜(taper)之尺寸,各条件下对于电极之对XY方向之移动之一定之方向进给量,及加工条件数据表(table)之记忆装置,以及对于前述轮廓路径附加偏移(off set)资讯之偏移资讯附加装置,以及对于前述侧面倾斜之尺寸之深度资料及方向进给量与电条件、电极直径,算出由预先决定之电极路径每一周之加工深度到达目的深度之电极路径之反覆次数之加工处理次数算出装置,以及由前述侧面倾斜之尺寸之前述侧面方向之长度及加工处理次数算出电极路经每1次之偏移(off set)变位置之偏移变位量算出装置,以及由前述偏移资讯附加装置由附加于前述轮廓路径之偏移位置就每次行经电极路径控制前述偏移变位量之电极位置控制装置,以及由该电极位置控制装置之控制使中空圆筒状电极向Z轴方向旋转一面在前述开缝(slit)之侧面施行倾斜(taper)加工之二次加工装置者。2.如申请专利范围第1项之放电加工装置,其中之中空圆筒状电极之外径为,等于或大于被加工之侧面倾斜之尺寸之侧面方向之长度者。3.如申请专利范围第1项之放电加工装置,其中之中空圆筒状电极之厚度等于或小于形成在侧面倾斜部之底部之弯曲部之曲率半径所容许之値者。4.一种放电加工方法,系于电极与被加工物之间施加脉冲电压,由NC控制施行三次元控制,由此施行所希望之形状加工之放电加工方法,包括下列步骤:由预先之前加工施行开缝状之一次加工之步骤,以及分别记忆前述一次加工所形成之加工形状之二次元轮廓路径,欲加工之侧面倾斜部之尺寸,在各条件下电极之对XY方向之移动之一定Z方向进给量,及加工条件等之步骤,以及前述轮廓路径附加偏移(off set)资讯之步骤,以及对于前述侧面倾斜之尺寸引起之深度资料及Z方向进给量与电条件,电极直径,经由预先求出之电极路径每一周之加工深度算出到达目的深度之电极路径之反覆次数之步骤,以及由前述侧面倾斜之尺寸算出前述侧面方向之长度及由加工处理次数算出电极路径每1次之偏移变位量之步骤,以及由前述偏移资讯附加装置由附加于前述轮廓路径之偏移位置在每1次电极路径控制前述偏移变位量之步骤,以及依据该控制之变位量一面使中空圆筒状电极向Z方向旋转,一面在前述开缝之侧面施行倾斜加工之步骤,为特征者。5.如申请专利范围第4项之放电加工方法,其中该算出电极路径之反覆次数之步骤为,依据预先求出之电极路径每1周之加工深度,侧面倾斜之尺寸引起之设定深度资料及预先求出之深度资料等施行处理者。6.如申请专利范围第4项之放电加工方法,中空圆筒状电极之外径为,等于或大于须加工之侧面倾斜之尺寸之侧面方向之长度者。7.如申请专利范围第4项之放电加工方法,其中,该中空圆筒状电极之厚度为,等于或小于形成于侧面倾斜之底部之弯曲部之曲率半径可容许之値为特征者。图示简单说明:第一图表示本发明之实施例1之放电加工装置之概要构成图。第二图表示第一图之放电加工装置之情报之流动之详细图。第三图表示加工抽样形状之说明图。第四图表示本发明之实施例1之放电加工装置之侧面倾斜加工方法之程序图。第五图表示本发明之实施例1之放电加工装置之侧面倾斜加工时之电极移动路径之说明图。第六图表示不施行消耗补偿之情况之加工形状之说明图。第七图关于本发明之实施例1之放电加工装置之每一层之偏移变化量之算出装置之流程图。第八图表示使用本发明之实施例1之放电加工装置之加工每一层之偏移变化量d之放电加工方法之流程图。第九图说明每一层之加工深度之补偿之说明图。第十图表示关于本发明之实施例1之放电加工装置之每一层之偏移变化量之算出装置之另一例之流程图。第十一图表示电极外径小于侧面方向之倾斜尺寸之情况之电极消耗形状之图。第十二图表示倾斜侧面之底部所存在之弯曲部之图。第十三图表示使用棒状电极产生倾斜形状所需之以往之放电加工方法之图。第十四图表示使用棒状电极产生倾斜形状时侧面有效使用之情况之加工程序之图。第十五图表示使用消耗补偿控制之单纯电极之放电加工之以往例之图。第十六图表示使用棒状电极产生倾斜形状时,第十三图之放电加工方法之加工程序之图。第十七图表示加工抽样形状之说明图。 |
