发明名称 | 金属层间介电层与金属区间介电区制作方法 | ||
摘要 | 一种金属层间介电层(Inter-metal Dielectric)与金属区间介电区(Intra-metal Dielectric)制作方法,其中包括以蚀刻法制作复数个包含一金属层与一第一种介电质所构成之堆叠结构,再以旋转涂布法制作一平坦之第二种介电质所构成的介电区,并填满该堆叠结构的间隔区,利用蚀刻法选择性地去除蚀刻速率快的第二种介电质,以形成第一种金属的区间介电区,最后将第二种金属沉积在表面上,并蚀刻出所需图案,得到一具有层间介电层与区间介电区的结构,提高半导体积体电路元件布局的密度及金属连线的弹性。 | ||
申请公布号 | TW320763 | 申请公布日期 | 1997.11.21 |
申请号 | TW085114840 | 申请日期 | 1996.12.02 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 严立巍 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 林志诚 台北巿南京东路三段一○三号十楼 | |
主权项 | 一种金属层间介电层与金属区间介电区制作方法,包含一旋转涂布法,以制作金属区间介电区,其特征为:以蚀刻法制作复数个包含一金属层与一第一种介电质所构成之堆叠结构,再以旋转涂布法制法一平坦之第二种介电质所构成的介电区,并填满该堆叠结构的间隔区;利用蚀刻法选择性地去除蚀刻速率快的第二种介电质,以形成第一种金属的金属区间介电区;最后将第二种金属沉积在表面上,并蚀刻出所需图案,得到一特殊的积体电路结构,该结构同时具有由二种不同介电质所分别构成的金属层间介电层与金属区间介电区。图示简单说明:第一图为本发明之制作步骤。 | ||
地址 | 新竹科学工业园区研新三路三号 |