发明名称 |
一种具有双阶级图层的图形化衬底的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有双阶级图层的图形化衬底的制备方法,第一次蚀刻后在第一二氧化硅掩膜层的表面通过电浆喷洗对其进行微粗化处理,粗化后的第一二氧化硅掩膜层能与光刻胶掩膜层形成良好的接触,进而得到具有第二类图形的第二二氧化硅掩膜层,再次进行二次蚀刻后形成具有双阶级图层的蓝宝石衬底。双阶级图层其表面面积增大,增加反射出光面,很大程度上提高了光的反射率及改善长晶的错位密度。 |
申请公布号 |
CN106025030A |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201610641282.2 |
申请日期 |
2016.08.08 |
申请人 |
泉州市三星消防设备有限公司 |
发明人 |
钟志伟 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 |
代理人 |
巩固 |
主权项 |
一种具有双阶级图层的图形化衬底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,提供一具有用于长晶表面的蓝宝石衬底,并在该蓝宝石衬底的长晶表面制备一具有第一类图形的第一二氧化硅掩膜层;S2,将S1得到的蓝宝石衬底置于硫酸与磷酸混合配置的酸性蚀刻溶液中进行蚀刻,形成具有一阶级图层的蓝宝石衬底;S3,将S2得到的蓝宝石衬底置于电浆清洗机中利用电浆喷洗对第一二氧化硅掩膜层的表面进行微粗化处理;S4,在第一二氧化硅掩膜层的表面制备一具有第二类图形的光刻胶掩膜层,置于氢氟酸溶液中蚀刻去除光刻胶掩膜层外的二氧化硅;S5,去除光刻胶掩膜层,形成具有第二类图形的第二二氧化硅掩膜层;S6,将S5得到的蓝宝石衬底再次置于S4中的酸性蚀刻溶液中进行蚀刻,最终形成具有双阶级图层的蓝宝石衬底。 |
地址 |
362300 福建省泉州市南安市成功科技工业园 |