| 主权项 |
1.一种储存电极的制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底,在该矽基底上形成一有一源极/汲极区的电晶体,而在该源极/汲极区掺杂有第一型离子;在该矽基底上形成一绝缘层;去除部份该绝缘层以形成一接触窗暴露出该源极/汲极区的上表面;至少在该接触窗的周边及该源极/汲极区的上表面形成第一多晶矽层;以及使用非等向性磊晶选择性成长技术,在该第一多晶矽层的上表面形成第二多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该绝缘层系一氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该绝缘层系由化学气相沈积法所形成。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一多晶矽层的形成包括下列步骤:在该矽基底上形成一多晶矽层;在该多晶矽层掺植入一离子;以及使用微影及蚀刻技术定义该多晶矽层,使得该多晶矽层位在该接触窗的周边及该源极/汲极区的上表面。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该多晶矽层系由化学气相沈积法所形成,其厚度介于约300A至500A之间。6.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该离子为该第一型离子,且掺植的能量约为30KeV到50KeV,掺植剂量约11015cm-2到31015cm-2。7.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该多晶矽层系使用微影及带有击冲法的蚀刻技术所定义。8.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该多晶矽层系使用微影及不带有击冲法的蚀刻技术所定义。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该非等向性磊晶选择性成长技术,系采用冷壁式极高真空化学气相沈积系统在以下的条件中进行:基准压力约为810-10Torr;Si2H6流速约为lsccm;以及总压力约为110-3Torr。图示简单说明:第一A图到第一C图绘示以一传统制程形成储存电极的剖面示意图。其中第一A图与第一B图之剖面方向相同但与第一C图之剖面方向相垂直。第二A图到第二D图为根据本发明之一实施例之储存电极的制程剖面示意图。第三A图到第三C图为配合第二B图到第二D图中另一方面的剖面示意图。其中第三A图到第三C图与第二A图到第二D图之剖面方向相垂直。第四图为根据本发明之一实施例之电容的制程剖面示意图。 |
