发明名称 改变乙烯/ –烯烃共聚物之短链分支分布之方法,由该方法所制得之聚合物,将乙烯/ –烯烃共聚物挤制成薄
摘要 一含有过渡金属可用于α- 烯烃类之聚合反应的催化剂系由以下步骤所制备(A)在一排除氧和水份之惰性气氛中形成一(1)一择自于由矽石,氧化铝,或一矽石和氧化铝之组合的多孔无机氧化物支持材料,该支持材料含有每克支持材料不大于约5毫莫耳之羟基与一不大于约10微米之粒子尺寸以及约50至约800平方公尺/克之表面积在一惰性有机液体介质中之淤浆;(B)混合该淤浆与(2)一烷氧化物并且在一自大约-20℃至约120℃之温度下搅动所生成之混合物历一足以饱和支持材料表面的时间;(C)混合(B)之产物与(3)一钛化合物或一钛化合物与(4)一钒化合物之结合物且在一自大约-20℃至约120℃之温度下搅动所生成之混合物历一足以使钛化合物和钒化合物与余留在固体支持物上之有机镁部份完全反应;(D)将得自(C)之产物与(5)一IIIA族金属烷基卤化物之惰性有机溶液在一从大约-20℃至大约120℃之温度下混合一足以使钛及钒(若存在)化合物还原至其最终氧化态的时间。具有大于17%高密度分数与一低于约3.6之Mω/Mn比的乙烯/α-烯烃共聚物被证明在制造具有良好拉伸性和良好抗击穿性之铸膜时有用。具有特定性质之本发明共聚物在制造此薄膜时尤其有用。
申请公布号 TW327177 申请公布日期 1998.02.21
申请号 TW082105908 申请日期 1993.07.24
申请人 陶氏化学国际有限公司 发明人 雅各林A.德格鲁特
分类号 C08F10/02 主分类号 C08F10/02
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种改变乙烯/-烯烃共聚物之短链分支分布(SCBD)之方法,特征在于(I)使乙烯和一或一种以上-烯烃共聚单体在一催化剂组成存在下接受溶液聚合反应条件,该催化剂组成为(A)一被支持之含过渡金属成分,系包括由触以下成分所生成之产物(1)一择自于由矽石,氧化铝或矽石与氧化铝之组合所组成之族中的多孔无机氧化物支持体材料,该支持体材料含有每克支持体材料不大于5毫莫耳之羟基且粒子尺寸小于10微米而表面积为50至800平方公尺/克;(2)一碳氢化合物可溶有机镁烷氧化物或碳氢化合物可溶镁二烷氧化物;(3)一视情况选用钛化合物;(4)一钒化合物;以及(5)一铝烷基卤化物;且其中诸成份系以可提供以下原子比之量被使用:Si+Al:Mg为1:1至30:1;Mg:Ti为0.2:1至10:1;Mg:V为0.2:1至10:1;Mg:Al为0.05:1至5:1;V:Ti为0:8:1至1.2:1;以及(B)一成分(A)之助催化剂或活化剂;且(II)藉由改变成分(A)中之Mg:Ti之比例而控制SCBD。2.如申请专利范围第1项之方法,其中(a)该固体支持体材料含有不大于每克支持体材料4毫莫耳之羟基,一1至8微米之粒子尺寸以及一150至600平方公尺/克之表面积;(b)该过渡金属催化剂含有一Si+Al(来自无机氧化物支持体):Mg原子比为2:1至40:1;(c)该过渡金属催化剂含有之Mg:Ti原子比为自0.2:1至20:1;(d)该过渡金属催化剂含有之Mg:V当存在时原子比系从0.2:1至20:1;(e)该过渡金属催化剂含有Mg:Al之原子比为0.05:1至10:1;以及(f)该过渡金属催化剂含有V:Ti之原子比为1:1。3.如申请专利范围第1项之方法,其中(a)该固体支持体材料含有不大于每克支持体材料3毫莫耳之羟基,一2至5微米之粒子尺寸以及一300至500平方公尺/克之表面积;(b)该过渡金属催化剂含有一Si+Al(来自无机氧化物支持体):Mg原子比为4:1至20:1;(c)该过渡金属催化剂含有之Mg:Ti原子比为自0.5:1至20:1;(d)该过渡金属催化剂含有之Mg:V当存在时原子比系从0.5:1至10:1;(e)该过渡金属催化剂含有Mg:Al之原子比为0.1:1至5:1;以及(f)该过渡金属催化剂含有V:Ti之原子比为1:1。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中(a)该固体支持体为矽石;(b)该镁化合物系一由式RxMg(OR)y,其中每一R系独立地为一具有1至20个碳原子之羟基,x+ y=2;0.5≦y≦2;(c)该钛化合物系一由式TiX4-a(OR')a所代表之化合物,其中每一R'系独立地为一具有1至20个碳原子之烷基,X为一卤原子,且a具有一自0至4之値;(d)该钒化合物,当存在时,为一由式VX4-a(OR')a其中每一R'系独立地为一具有1至20碳原子之烷基,且具有一从零至4之値;(e)该Al铝烷基卤化物为一由式R'yMXz代表之化合物,其中M为一元素周期表之IIIA族的金属,每一R'独立地为一具有从1至20个碳原子之烷基;X为一卤原子,y和z各别独立地具有一从1至相等于M之价数减1之値且y+z具有一相等于M之价数之値;且(f)该-烯烃含有2到8个碳原子或任何二个或二个以上此种-烯烃之组合。5.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中(a)成分(2)该镁化合物系乙氧化乙基镁,乙氧化丁基镁,乙氧化辛基镁,丁氧化丁基镁,丁氧化乙基镁,辛氧化丁基镁,s-辛氧化丁基镁或此种化合物之任何组合;(b)该钛化合物为四氯化钛,四异丙氧化物,或此种化合物之任何组合;(c)该钒化合物,当存在时为四氯化钒,三氯氧钒,或此种化合物之任何组合;以及(d)该铝烷基卤化物为二氯化乙基铝,i-二氯化丁基铝,倍半氯化乙基铝或此种化合物之任何组合;以及(e)该-烯烃为乙烯,丙烯,丁烯-1,己烯-1,辛烯-1,4-甲基丙烯-1或此种化合物之任何二种或二种以上的组合。6.一种聚合物,该聚合物系藉由聚合一或一种以上-烯烃类以及可取舍之一或一种以上-烯烃之外的可聚合乙烯不饱和化合物之方法所生成,该方法之特征在于使欲被聚合之物质与以下物质接触(A)一被支持之含过渡金属催化剂成分,此催化剂成分包括接触以下物质所生成之产物(1)一择自于由矽石,氧化铝或矽石与氧化铝之组合所组成之族中的固体多孔无机氧化物支持体材料,该支持体材料含有每克支持体材料不大于5毫莫耳之羟基且粒子尺寸小于10微米,表面积为50至800平方公尺/克;(2)一由式RxMg(OR)y代表之碳氢化合物可溶有机镁烷氧化物或碳氢化合物可溶镁二烷氧化物,其中每一R系独立地为一具有1至20个碳原子之羟基,x+y=2;0.5≦y≦2;(3)一钛化合物;可取舍之(4)一钒化合物;以及(5)一铝烷基卤化物;且其中诸成份系以可提供以下原子比之量被使用:Si +Al(来自无机氧化物支持体):Mg为1:1至50:1;Mg:Ti为0.1:1至40:1;Mg:V,当存在时为0.1:1至40:1;Mg:IIIA金属为0.01:1至100:1;V:Ti为0:1至10:1;以及(B)一成份(A)之助催化剂或活化剂。7.如申请专利范围第6项之聚合物,其中(a)该固体支持体材料含有不大于每克支持体材料4毫莫耳之羟基,一1至8微米之粒子尺寸以及一150至600平方公尺/克之表面积;(b)该过渡金属催化剂含有一Si+Al(来自无机氧化物支持体):Mg原子比为2:1至40:1;(c)该过渡金属催化剂含有之Mg:Ti原子比为自0.2:1至20:1;(d)该过渡金属催化剂含有之Mg:V当存在时原子比系从0.2:1至20:1;(e)该过渡金属催化剂含有Mg:Al之原子比为0.05:1至10:1;以及(f)该过渡金属催化剂含有V:Ti之原子比为0:1至5:1。8.如申请专利范围第6项之聚合物,其中(a)该固体支持体材料含有不大于每克支持体材料3毫莫耳之羟基,一2至5微米之粒子尺寸以及一300至500平方公尺/克之表面积;(b)该过渡金属催化剂含有一Si+Al(来自无机氧化物支持体):Mg原子比为4:1至20:1;(c)该过渡金属催化剂含有之Mg:Ti原子比为自0.5:1至10:1;(d)该过渡金属催化剂含有之Mg:V当存在时原子比系从0.5:1至10:1;(e)该过渡金属催化剂含有Mg:Al之原子比为0.1:1至5:1;以及(f)该过渡金属催化剂含有V:Ti之原子比为0:1至1:1。9.如申请专利范围第6,7或8项之聚合物,其中(a)该固体支持体材料为矽石;(b)该钛化合物系一由式TiX4-a(OR')a所代表之化合物,其中每一R'系独立地为一具有1至20个碳原子之烷基,X为一卤原子,且a具有一自0至4之値;(c)该钒化合物,当存在时,为一由式VX4-a(OR')a表示之化合物,其中每一R'系独立地为一具有1至20碳原子之烷基,且具有一从零至4之値;(d)该铝族金属烷基卤化物为一由式R'yMXz代表之化合物,其中M为铝,每一R'独立地为一具有从1至20个碳原子之烷基;X为一卤原子,y和z各别独立地具有一从1至相等于M之价数减1之値且y+z具有一相等于M之价数之値;且(e)该-烯烃含有2到8个碳原子或任何二个或二个以上此种-烯烃之组合。10.如申请专利范围第6.7或8项之聚合物,其中(a)成分(2)系乙氧化乙基镁,乙氧化丁基镁,乙氧化辛基镁,丁氧化丁基镁,丁氧化乙基镁,辛氧化丁基镁,s-辛氧化丁基镁或此种化合物之任何组合;(b)该钛化合物为四氯化钛,四异丙氧化物,或此种化合物之任何组合;(c)该钒化合物,当存在时为四氯化钒,三氯氧钒,或此种化合物之任何组合;以及(d)该铝烷基卤化物为二氯化乙基铝,i-二氯化丁基铝,倍半氯化乙基铝或此种化合物之任何组合;以及(e)该-烯烃为乙烯,丙烯,丁烯-1,己烯-1,辛烯-1,4-甲基丙烯-1或此种化合物之任何二种或二种以上的组合。11.一种将如申请专利范围第1项之方法制得之乙烯/-烯烃共聚物挤制成薄膜之方法,特征在于使用一具有大于17%高密度部分和小于3.6之Mw/Mn比的乙烯/-烯烃共聚物,以形成薄膜,该薄膜具有自0.4至1.2密耳之规格,至少280之百分比极限拉伸性,以及至少250尺-磅/立方公分之抗击穿性。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该乙烯/-烯烃共聚物共聚物具有一自0.905克/立方公分至0.935克/立方公分之密度及自0.6克/10分钟至6克/10分钟之熔体指数。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该乙烯/-烯烃共聚物共聚物具有小于3.3之Mw/Mn比以及至少20之百分比高密度部分。14.一种如申请专利范围第11项之方法制得之薄膜,该薄膜包括一具有大于17百分比高密度部分以及小于3.6之Mw/Mn比之乙烯/-烯烃共聚物。15.如申请专利范围第14项之薄膜,其中该薄膜系为一具有0.4至1.2密耳之规格,至少295百分比之百分比极限拉伸性以及至少250尺-磅/立方公分之抗击穿性的铸膜。16.如申请专利范围第14项之薄膜,其中该乙烯/-烯烃共聚物共聚物具有一自0.905克/立方公分至0.935克/立方公分之密度,自0.6克/10分钟至6克/10分钟之熔体指数,小于3.3之Mw/Mn比和至少20之百分比高密度部分。17.如申请专利范围第16项之薄膜,其中该乙烯/-烯烃共聚物共聚物系为一乙烯/1-辛烯共聚物。18.如申请专利范围第17项之薄膜,其中该薄膜规格系0.8密耳且百分比极限拉伸性为至少320%。19.一种如申请专利范围第1项之方法制得之未掺合的乙烯/-烯烃共聚物,其具有大于17%之高密度部分,小于3.3之Mw/Mn比,自0.905克/立方公分至0.935克/立方公分之密度,自0.6克/10分钟至6克/10分钟之熔体指数。20.如申请专利范围第19项之共聚物,其中该百分比高密度部分系至少20。21.如申请专利范围第19项之共聚物,其中该乙烯/-烯烃共聚物为一乙烯/1-辛烯共聚物。
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