| 主权项 |
1.一种晶圆切割/搭接片,系由下述者所组成:扩张制程用片,包括软质膜及形成在其上之感压黏着剂层,以及聚醯亚胺搭接片,包括供聚醯亚胺型树脂用之加工膜及形成在其上之聚醯亚胺黏着剂层。2.如申请专利范围第1项之晶圆切割/搭接片,其中该供聚醯亚胺型树脂用之加工膜系由熔点为230℃或更高之树脂所制成。3.如申请专利范围第1项之晶圆切割/搭接片,其中该供聚醯亚胺型树脂用之加工膜具有小于40dyn/cm的表面张力。4.如申请专利范围第3项之晶圆切割/搭接片,其中该供聚醯亚胺型树脂用之加工膜系由聚二甲酸乙二酯树脂所制成。5.如申请专利范围第1项之晶圆切割/搭接片,其中该感压黏着剂层具有能由晶圆切割环状架所支 之表面积且该聚醯醯亚胺黏着剂层具有小于晶圆切割环状之内直径的外直径。6.一种半导体装置之制造方法,包括下述步骤:进行半导体晶圆与晶圆切割/搭接片之聚醯亚胺黏着剂层的热压缩搭接,该晶圆切割/搭接片系由下述者所组成:包括软质膜及形成在其上之感压黏着剂层的扩张制程用片,以及包括供聚醯亚胺型树脂用之加工膜及形成在其上之聚醯亚胺黏着剂层的聚醯亚胺搭接片;将半导体晶圆切割成IC晶片;扩张晶圆切割/搭接片以加大IC晶片空间;自供聚醯亚胺型树脂用之加工膜将背面黏附着聚醯亚胺黏着剂层之IC晶片剥离;以及以使聚醯亚胺黏着剂层插置在IC晶片与导线架间之方式将IC晶片放置在导线架上,由而搭接IC晶片与导线架。7.一种半导体装置之制造方法,包括下述步骤:进行半导体晶圆与聚醯亚胺搭接片之聚醯亚胺黏着剂层的热压缩搭接,该聚醯亚胺搭接片包括供聚醯亚胺型树脂用之加工膜及形成在其上之聚醯亚胺黏着剂层;以使感压黏着剂层与聚醯亚胺搭接片之供聚醯亚胺型树脂用之加工膜的曝露表面接触的方式,将包括软质膜及形成在其上之感压黏着剂层的扩张制程用片黏附至聚醯亚胺搭接片;将半导体晶圆切割成IC晶片;将扩张制程用片扩张以加大IC晶片空间;自供聚醯亚胺型树脂用之加工膜将背面黏附着聚醯亚胺黏着剂层之IC晶片剥离;以及以使聚醯亚胺黏着剂层插置在IC晶片与导线架间之方式,将IC晶片放置在导线架上,由而搭接IC晶片与导线架。8.如申请专利范围第6或7项之制造方法,其中该供聚醯亚胺型树脂用之加工膜系由熔点为230℃或更高之树脂所制成。9.如申请专利范围第6或7项之制造方法,其中该供聚醯亚胺型树脂用之加工膜具有小于40dyn/cm的表面张力。10.如申请专利范围第8或之制造方法,其中该供聚醯亚胺型树脂用之加工膜系由聚二甲酸乙二酯树脂所制成。11.如申请专利范围第6或7项之制造方法,其中该感压黏着剂层具有能由晶圆切割环状架所支 之表面积且聚醯亚胺黏着剂层具有小于晶圆切割环状架之内直径的外直径。图示简单说明:第一图本发明之晶圆切割/搭接片的截面图;第二图显示藉由环状架固定晶圆切割/搭接片的状态;第三图显示即将要藉由热压缩搭接作用将黏附着矽晶圆之聚醯亚胺搭接片固定在扩张制程用板上的状态;第四图显示切割矽晶圆的状态;以及第五图显示展开晶圆切割/搭接片后拾取IC晶片的状态。 |
