| 主权项 |
1.一种电浆处理装置之室浸蚀方法,该装置含有用于支撑样品晶圆于其上之基片电极,覆盖在该基片电极之周围之周边部份上之碳化矽绝缘覆物,及在室内面对该基片电极设置之相对电极,藉在该室之内使用电浆反应气体进行CVD处理而在该晶圆上形成二氧化矽层,该二氧化矽层亦同时形成于包括该绝缘覆物及该两电极之室之内部组份之表面上而成为多余之不要之二氧化矽层,该方法系用来去除形成于该等组份上之不要之二氧化矽层,其包括:连接该基片电极至高频电源及将相对电极接地;将碳氟化合物引入该室;及自该高频电源供给高频电力至该基片电极俾进行该室浸蚀,进而去除该不要之二氧化矽层。2.一种电浆处理装置,用于藉电浆CVD处理而于晶圆上形成二氧化矽层并适于执行申请专利范围第1项之方法,该装置包括:具有用为引入气体之进气口,及用为排放废气之排气口之室,该进气口在进行电浆CVD处理期间引入反应气体以形成该二氧化矽,而该进气口在进行该室浸蚀期间则引入碳氟化合物;固定地配置在该室内之基片电极,该基片电极具有露出于该室外侧之端子,在进行电浆CVD处理期间,该晶圆系被放置于及支撑在该基片电极之中央表面部份;固定地配置在该基片电极之周围之周边部上之碳化矽之绝缘覆物;与该基片电极隔一既定间隙面对设置且具有端子露出于室之外部之相对电极;供给高频电能之电源;及用为将该基片电极端子及该相对电极端子之一接至该电源而将剩余之另一端子接地之电源切换措施,藉此,在进行该电浆CVD处理期间该电源将该高频电能供给至该相对电极,而在进行该室浸蚀期间该电源将高频电能供给至该基片电极。3.一种电浆处理装置,用于藉电浆CVD处理而于晶圆上形成二氧化矽层并适于执行申请专利范围第1项之方法,该装置包括:具有用为引入气体之进气口,及用为排放废气之排气口之室,该进气口在进行电浆CVD处理期间引入反应气体俾形成该二氧化矽,而在进行该室浸蚀期间该进气口则引入碳氟化合物;固定地配置在该室内且具有露出于该室之外之端子之基片电极,在进行电浆CVD处理期间该晶圆系被放置于并支撑于该基片电极之中央表面部;固定地配置在该基片电极之周围周边部上之碳化矽之绝缘覆物;与该基片电极隔一既定间隙相对设置且具有露出于室之外之端子之相对电极;供给第1高频电能之第1电源;供给第2高频电能之第2电源;用为在进行该电浆CVD处理期间将该基片电极端子接地,而在进行该室浸蚀期间将该第1电源接至该基片电极之端子之第1电源切换措施;及用为在进行该电浆CVD处理期间将该第2电源接至该相对电极,而在进行室浸蚀期间将该相对电极之端子接地之第2电源切换措施。4.如申请专利范围第2或3项之装置,其中该相对电极具有碳化矽形成于其上之周边部。5.如申请专利范围第2或3项之装置,其系为具有喇叭型之该相对电极之电子加速器共振型。6.如申请专利范围第2或3项之装置,其系为平行电极型,其中该基片电极及该相对电极系为相互平行设置之平板电极。图示简单说明:第一图系示出传统电浆处理装置之示意断面图;第二图系示出本发明第1实例之电浆处理装置之示意断面图;第三图系示出本发明第2实例之电浆处理装置之示意断面图;第四图系示出在进行室浸蚀期间当基片电极接至电源时与当基片电极接地时之绝缘覆物上之SiO2之浸蚀率之比较;及第五图示出在进行室浸蚀期间使用不同气体,CF4气体,SF6气体及NF3气体,之SiO2薄膜及SiC薄膜之浸蚀选择性之比例。 |
