| 主权项 |
1.一种半导体元件之突起(bump)形成方法,其特征为,包括有:在半导体元件之垫电极(pad electrode)上涂布粘接剂之粘接剂处理步骤,对涂布粘接剂的部分附着一个或两个以上之焊锡颗粒之焊锡颗粒附着步骤,以及将焊锡颗粒熔化来形成突起之焊锡熔化步骤。2.一种半导体元件之突起形成方法,其特征为,包括有:在半导体元件之垫电极上实行无电解电镀之电镀步骤,在无电解电镀部分涂布粘接剂之粘接剂处理步骤,对涂布粘接剂的部分附着一个或两个以上之焊锡颗粒之焊锡颗粒附着步骤,以及将焊锡颗粒熔化来形成突起之焊锡熔化步骤。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体元件之突起形成方法,其中,在前述熔化焊锡颗粒来形成突起之步骤中,使金属芯存在于突起内。4.如申请专利范围第3项之半导体元件之突起形成方法,其中,预先在一部分或全部之焊锡颗粒内,掺有至少一个前述金属芯,藉以在焊锡熔化步骤时,可使其存在于突起内。5.如申请专利范围第3项之半导体元件之突起形成方法,其中,将金属芯与焊锡颗粒混合而附着于涂布粘接剂的部分,藉以在焊锡熔化步骤时,可使其存在于突起内。6.如申请专利范围第3项之半导体元件之突起形成方法,其中,在与焊锡颗粒附着步骤分开而独立的粘接剂处理步骤及金属芯附着步骤中,将前述金属芯附着于电极部分,藉以在熔化焊锡步骤时使金属芯存在于突起内。7.如申请专利范围第1项或第2项之半导体元件之突起形成方法,其为,至少附加一次粘接剂处理步骤与焊锡颗粒之附着步骤以及焊锡熔化步骤者。8.如申请专利范围第4项之半导体元件之突起形成方法,其中,掺在焊锡颗粒内之金属芯之直径为,小于焊锡颗粒之膜厚。9.如申请专利范围第1项或第2项之半导体元件之突起形成方法,其中,粘接剂处理步骤及焊锡颗粒附着过程及焊锡熔化步骤包括:高温焊锡粘接剂处理步骤及高温焊锡颗粒附着步骤及高温焊锡熔化步骤;以及低温焊锡粘接剂处理步骤及低温焊锡颗粒附着步骤及低温焊锡熔化步骤;所成。10.如申请专利范围第9项之半导体元件之突起形成方法,其中,实行高温焊锡粘接剂处理步骤及高温焊锡颗粒附着步骤以及高温焊锡熔化步骤之后,实行低温焊锡粘接剂处理步骤及低温焊锡颗粒附着步骤以及低温焊锡熔化步骤,以高温焊锡作为金属芯。11.如申请专利范围第3项之半导体元件之突起形成方法,其中,半导体元件为在三个以上之部位具有垫电极时,至少在三个部位之垫电极形成有存在金属芯之突起。12.如申请专利范围第11项之半导体元件之突起形成方法,其中,至少三个以上部位之垫电极为,预先决定之位置之垫电极。13.如申请专利范围第12项之半导体元件之突起形成方法,其中,预先决定之三个部位或四个部位之垫电极为,半导体元件之四隅之垫电极。14.一种半导体元件之突起形成方法,其特征为,用申请专利范围第1项或第2项之方法,对矽单结晶薄片(wafer)状态之半导体元件形成突起者。15.一种半导体元件之突起形成方法,其特征为,用申请专利范围第1项或第2项之方法,对晶片(chip)状态之半导体元件形成突起者。16.如申请专利范围第15项之半导体元件之突起形成方法,其中,呈晶片状态之半导体元件为,由粘接剂保持在托板上。17.如申请专利范围第16项之半导体元件之突起形成方法,其中,将保持在托板上之呈晶片状态之半导体元件,剥离托板而排列在盘上者。18.如申请专利范围第17项之半导体元件之突起形成方法,其中,将呈晶片状态之半导体元件剥离托板之际,以热降低粘接剂之粘接性者。19.如申请专利范围第17项之半导体元件之突起形成方法,其中,将呈晶片状态之半导体元件剥离托板之际,以光降低粘接剂之粘接性者。图示简单说明:第一图为显示本发明半导体装置之突起形成方法之第1实施形态之流程图。第二(a)-(f)图为显示同样第1实施形态中主要步骤之电极部剖面图。第三图为显示用本发明半导体装置之突起形成方法之第2实施形态所形成之突起之剖面图。第四图为(a),(b)为显示本发明半导体装置之突起形成方法之第3实施形态中主要步骤之电极部剖面图。第五图为,将用第2实施形态之方法形成突起之半导体装置,粘接在电路基板上状态之剖面图。第六图为,在用第3实施形态之方法形成之焊锡突起内,存在三个金属芯之状态之剖面图。第七图为显示本发明半导体装置之突起形成方法之第4实施形态之流程图。第八(a)-(d)图为显示同样第4实施形态之第一阶段中主要步骤之电极部剖面图。第九(a)-(c)图为显示同样第4实施形态之第二阶段中主要步骤之电极部剖面图。第十图为显示使用本发明之半导体装置之突起形成方法之金属芯之其他实施形态之流程图。第十一图为显示本发明半导体装置之突起形成方法之第5实施形态之流程图。第十二(a)-(e)图为显示同样第5实施形态中主要步骤之电极部剖面图。第十三图为,用本发明之半导体装置之突起形成方法,至少在三个之焊锡突起内,存在金属芯之半导体装置之平面图。第十四图为显示用本发明之半导体装置之突起形成方法之各实施形态制造之半导体装置之使用状态平面图。第十五图为剖面图,用以说明本发明半导体装置之突起形成方法之各实施形态制造之半导体装置排列在浅盘内状态之剖面图。第十六图为剖面图,用以说明本发明半导体装置之突起形成方法之各实施形态制造之半导体装置排列在浅盘内状态之剖面图。第十七图为先前之焊锡突起之剖面图。 |
