| 主权项 |
1.一种接合垫区结构,系设置于一半导体基底上;该接合垫区结构包括:一绝缘层,形成覆于该基底上方;一导电层,形成于该绝缘层上;一护层,覆于该导电层之周边,而与该金属层间呈重叠区域;以及复数岛状物,形成于该重叠区域下方之该绝缘层和该导电层间,而与该导电层呈连锁接合。2.如申请专利范围第1项所述之该接合垫区结构,其中,该等岛状物系由复晶矽物所形成。3.如申请专利范围第1项所述之该接合垫区结构,其中,该绝缘层系由硼磷矽玻璃所构成。4.如申请专利范围第1项所述之该接合垫区结构,其中,该导电层系由金属物质所构成。5.如申请专利范围第1项所述之该接合垫区结构,其中,该护层系由氮氧化矽物所构成。6.一种接合垫区结构,系设置于一半导体基底上;该接合垫区结构包括:一绝缘层,形成覆于该基底上方;一导电层,形成于该绝缘层上;一护层,覆于该导电层之周边,而与该金属层间呈重叠区域;以及一缓冲层,至少形成于该重叠区域下方之该绝缘层和该导电层间,并经定义呈复数嵌入口,而与该导电层呈连锁接合。7.如申请专利范围第6项所述之该接合垫区结构,其中,该缓冲层系由复晶矽物所形成。8.如申请专利范围第6项所述之该接合垫区结构,其中,该绝缘层系由硼磷矽玻璃所构成。9.如申请专利范围第6项所述之该接合垫区结构,其中,该导电层系由金属物质所构成。10.如申请专利范围第6项所述之该接合垫区结构,其中,该护层系由氮氧化矽物所构成。11.一种接合垫区结构,系设置于一半导体基底上;供与一导线连接后,该导线依一方向牵引;该接合垫区结构包括:一绝缘层,形成覆于该基底上方;一导电层,形成于该绝缘层上;以及一护层,覆于该导电层之周边,而与该金属层间呈重叠区域,该重叠区近该牵引方向一侧之部份较其他该重叠区者为宽。12.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,尚包括复数岛状物,至少形成于该重叠区较宽部份下方之该绝缘层和该导电层间,而与该导电层呈连锁接合。13.如申请专利范围第12项所述之该接合垫区结构,其中,该等岛状系由复晶矽物所形成。14.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,尚包括复数岛状物,形成于整个该重叠区下方之该绝缘层和该导电层间,而与该导电层呈连锁接合。15.如申请专利范围第14项所述之该接合垫区结构,其中,该等岛状物系由复晶矽物所形成。16.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,尚包括一缓冲层,至少形成于该重叠区域较宽部份下方之该绝缘层和该导电层间,并经定义呈复数嵌入口,而与该导电层呈连锁接合。17.如申请专利范围第16项所述之该接合垫区结构,其中,该缓冲层系由复晶矽物所形成。18.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,尚包括一缓冲层,形成于整个该重叠区域下方之该绝缘层和该导电层间,并经定义呈复数嵌入口,而与该导电层呈连锁接合。19.如申请专利范围第18项所述之该接合垫区结构,其中,该缓冲层系由复晶矽物所形成。20.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,其中,该绝缘层系由硼磷矽玻璃所构成。21.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,其中,该导电层系由金属物质所构成。22.如申请专利范围第11项所述之该接合垫区结构,其中,该护层系由氮氧化矽物所构成。图示简单说明:第一图系显示习知积体电路晶片一接合垫区经打线接合后之顶视图;第二图系显示第一图之剖面图;第三图系显示根据本发明第一较佳实施例经打线接合后之顶视图;第四图系显示第三图之剖面图;第五图系显示根据本发明第二较佳实施例经打线接合后之顶视图;第六图系显示第五图之剖面图;第七图系显示根据本发明第三较佳实施例经打线接合后之顶视图;第八图系显示第七图之剖面图;第九图系显示根据本发明第四较佳实施例经打线接合后之顶视图;第十图系显示第九图之剖面图;第十一图系显示根据本发明第五较佳实施例经打线接合后之顶视图;第十二图系显示第十一图之剖面图;第十三图系显示根据本发明第六较佳实施例经打线接合后之顶视图;以及第十四图系显示第十三图之剖面图。 |
