发明名称 一种扇出型晶圆级封装方法及封装件
摘要 本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法及封装件,该封装方法提供一载体;在所述载体正面开设沟槽;提供具有接触焊盘的裸芯片,将所述裸芯片正面朝下放入所述沟槽中;在裸芯片背面形成覆盖所述裸芯片的成型复合物;研磨所述载体的背面,使所述裸芯片的正面露出;形成再布线层,使所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接;安装金属凸块,使所述金属凸块通过所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接。本发明利用沟槽的卡位作用固定裸芯片,避免或减少了封装过程中裸芯片的位移,使封装件可以具有更窄的器件焊盘间隙和更高的输入输出数;并且可以提高产品良率和产量,减小再布线层的线宽和线距,缩小封装尺寸,降低成本。
申请公布号 CN106098630A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610648702.X 申请日期 2016.08.09
申请人 中芯长电半导体(江阴)有限公司 发明人 蔡奇风;林正忠
分类号 H01L21/98(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/98(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种扇出型晶圆级封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一载体;在所述载体正面开设沟槽;提供具有接触焊盘的裸芯片,将所述裸芯片正面朝下放入所述沟槽中;在裸芯片背面形成覆盖所述裸芯片的成型复合物;研磨所述载体的背面,使所述裸芯片的正面露出;形成再布线层,使所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接;安装金属凸块,使所述金属凸块通过所述再布线层与所述裸芯片的接触焊盘电连接。
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