| 主权项 |
1.一种不需要任何中间的或最后的平坦化技术,而保持平坦的晶圆表面之沟渠结构的均匀凹槽充填物之形成程序,其特征为包含以下步骤:在基板上提供一至少包含一牺牲层之起始结构,其中该牺牲层可能并不均匀,该结构还包含许多形成在该牺牲层之中且延伸进入该基板的沟渠,及沈积在该牺牲层之上且充填该沟渠的充填材料,该沟渠之最小尺寸小于或等于希望凹槽深度的两倍;等向性蚀刻该充填材料,以从该牺牲层移去此充填材料,但是并不低于该牺牲层之介面;藉由选择该充填材料之等向性蚀刻,移去该牺牲层,而留下充填材料之凸出的柱钉;及用对该晶圆有高选择性之蚀刻,等向性蚀刻充填材料之凸出的柱钉,以在各个该沟渠中都能产生均匀的深度。2.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该起始结构还包含一在用该充填材料充填该沟渠之前,形成在该沟渠中之侧壁膜,该侧壁膜确保蚀刻该基板之凹槽的选择性。3.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该充填材料在该牺牲层的顶部上形成一不均匀的层,将此额外的不均匀性加入到该起始结构。4.一种不需要任何中间的或最后的平坦化技术,而保持平坦的晶圆表面之沟渠结构的均匀凹槽充填物之形成程序,其特征为包含以下步骤:在基板上至少形成一牺牲层,其中该牺牲层可能并不均匀;在该牺牲层中形成许多延伸进入该基板之沟渠,具有最小尺寸之该沟渠小于或等于希望凹槽深度的两倍;在该牺牲层上,沈积一充填材料,且充填该沟渠;等向蚀刻该充填材料,以从该牺牲层移去此充填材料,但是并不低于该牺牲层之介面;藉由选择该充填材料之等向性蚀刻,移去该牺牲层,而留下充填材料之凸出的柱钉;及用对该晶圆有高选择性之蚀刻,等向性蚀刻充填材料之凸出的柱钉,以在各个该沟渠中都能产生均匀的深度。5.如申请专利范围第4项所述之程序,其中还包含在该基板上形成该牺牲层之前,先在该基板上沈积一绝缘层,及在等向蚀刻该充填材料之步骤中,造成该充填材料之移去并未低于在该牺牲层和该绝缘层之间的介面。6.如申请专利范围第5项所述之程序,其中该基板为矽,而该绝缘层则为氮化矽,该氮化矽层基本上是平坦的。7.如申请专利范围第6项所述之程序,其中该牺牲层为四乙原矽烷(TEOS)氧化层,而该充填材料则为多晶矽,该等向蚀刻该充填材料之步骤,为了蚀刻时间选择,系用氢氧化钾完成,使得此蚀刻停止在到达该氮化矽层之间。8.如申请专利范围第7项所述之程序,其中该移去该牺牲层之步骤系用缓冲的氢氟酸完成。9.如申请专利范围第4项所述之程序,其中还包含在用该充填材料充填该沟渠之前,先在该沟渠中形成一侧壁膜之步骤,该侧壁膜系在等向蚀刻凸出的柱钉期间,确保蚀刻该基板之凹槽的选择性。图式简单说明:第一图为用在本发明范例之起始结构的横截面图。第二图为根据本发明制程之第一步骤的横截面图。第三图为根据本发明制程之第二步骤的横截面图。第四图为根据本发明制程之第三步骤的横截面图。第五图为根据本发明制程制造之最后结构的横截面图。 |
