| 主权项 |
1.一种具有振幅调变(amplitude modulation)能力之全波整流装置,为在一N基材(N-substrate)使用P井制程(P-well process)制造之积体电路装置其包括:一正半周二极体及一负半周二极体;其阳极分别耦接至一外接天线之两端,两者之阴极均由上述N基材所形成;一整流NMOS电晶体系以P井制程制作而得,其闸极与其汲极相耦接,其源极耦接至上述正半周二极体之阳极,其汲极耦接至一接地参考点,一正半周开关耦接于上述整流电晶体之源极和其本体极(bulk)之间,一负半周开关耦接于上述整流电晶体之汲极和上述本体极之间;一调变NMOS电晶体,系以P井制程制作而得,其本体极与其源极相连接并耦接至上述接地参考点,其汲极耦接至上述正半周二极体之阳极,其闸极则用以接收一调变信号,而只有当正半周整流时,上述调变信号才会传送至上述调变NMOS电晶体之闸极,以进行调变;一旁路NMOS电晶体,其本体极与其汲极相连接并耦接至上述接地参考点,其闸极耦接至上述负半周二极体之阳极,其源极耦接至上述正半周二极体之阳极;以及一充电电容器配置在上述正半周、负半周二极体的互相连接之阴极N基材与上述参考接地点之间,用以储存电能电压以供积体电路使用。2.如申请专利范围第1项所述之一种具有振幅调变能力之全波整流装置,其中当正半周整流时,上述整流NMOS电晶体之正半周开关导通,负半周开关不导通,而当负半周整流时,上述整流NMOS电晶体之负半周开关导通,正半周开关不导通。3.如申请专利范围第2项所述之一种具有振幅调变能力之全波整流装置,其中上述正半周开关与负半周开关系为使用P井制程制作而得之NMOS电晶体,而且可和上述整流NMOS使用同一P井区。4.如申请专利范围第1项所述之一种具有振幅调变能力之全波整流装置,其中上述N型基材中至少包括一P井区,上述每一P井区均耦接至上述连接节点。5.一种具有振幅调变能力之全波整流装置,为在一P基材(P-substrate)使用N井制程(N-well process)制造之积体电路装置其包括:一正半周二极体及一负半周二极体;其阴极分别耦接至一外接天线之两端,两者之阳极均由上述P基材所形成,其中以上述P基材做为一接地参考点;一整流PMOS电晶体系以N井制程制作而得,其闸极与其汲极相耦接,一正半周开关耦接于其源极和其本体极(bulk)之间,一负半周开关耦接于其汲极和上述本体极之间,上述整流电晶体之源极耦接至上述正半周二极体之阴极,其汲极耦接至一连接节点:一调变PMOS电晶体,系以N井制程制作而得,其本体极与其源极相连接并耦接至上述连接节点,其汲极耦接至上述正半周二极体之阴极,其闸极则用以接收一调变信号,而只有当正半周整流时,上述调变信号才会传送至上述调变PMOS电晶体之闸极,以进行调变;一旁路PMOS电晶体,其本体极与其汲极相连接并耦接至上述连接节点,其闸极耦接至上述负半周二极体之阴极,其源极耦接至上述正半周二极体之阴极;以及一充电电容器配置在上述连接节点与上述参考接地点之间,用以储存电能电压以供积体电路使用。6.如申请专利范围第5项所述之一种具有振幅调变能力之全波整流装置,其中当正半周整流时,上述整流PMOS电晶体之正半周开关导通,负半周开关不导通,而当负半周整流时,上述整流PMOS电晶体之负半周开关导通,正半周开关不导通。7.如申请专利范围第6项所述之一种具有振幅调变能力之全波整流装置,其中上述正半周开关与负半周开关系为使用N井制程制作而得之PMOS电晶体,而且可和上述整流PMOS使用同一N井区。8.如申请专利范围第5项所述之一种具有振幅调变能力之全波整流装置,其中上述P型基材中至少包括一N井区,每一N井区均耦接至上述连接节点。图式简单说明:第一图系显示一传统之全波整流装置;第二图系显示利用NMOS做为整流器之全波整流装置;第三图系显示利用PMOS做为整流器之全波整流装置;第四图A及第四图B系显示一习知具有振幅调变能力之全波整流装置及其调变时之等效电路;第五图系显示依据本发明之一种具有振幅调变能力之全波整流装置之第一实施例电路图;以及第六图系显示依据本发明之一种具有振幅调变能力之全波整流装置之第二实施例电路图。 |
