垂直沟道半导体器件

摘要

公开了一种具有掩埋位线的垂直沟道半导体器件。该垂直沟道半导体器件使得包括垂直沟道区域的有源柱体能够与衬底分离、使用体捆绑结构将有源柱体耦接到衬底，并且防止在其中出现浮体效应。此外，该垂直沟道半导体器件在掩埋位线之间包括气隙以减少位线之间的寄生电容。

主权项

一种半导体器件，包括：第一有源柱体和第二有源柱体，每个有源柱体具有布置在与衬底的主表面垂直的方向上的沟道区域；绝缘膜，限定所述第一有源柱体和所述第二有源柱体，并且使所述第一有源柱体和所述第二有源柱体与所述衬底分离；第一栅极，安置在所述第一有源柱体和所述第二有源柱体之间，并且安置在所述第一有源柱体的横向表面之上；第二栅极，安置在所述第一有源柱体和所述第二有源柱体之间，并且安置在所述第二有源柱体的横向表面之上；以及位线，安置在所述第一栅极和所述第二栅极之下，并且耦接和安置在所述第一有源柱体和所述第二有源柱体之间。