| 主权项 |
1.一种孔道金属形成方法,包括:一在形成有元件反覆盖绝缘层之晶片上方进行下层金属溅镀/光罩定义之步骤;一薄厚度介电层沈积,以供做为后续孔道金属蚀刻停止层之步骤;一对薄厚度介电层进行孔道光罩/蚀刻以形成与下层金属相通之孔道的步骤;一实施孔道金属溅镀,以形成可填满该孔道及覆盖于晶片外表面之金属的步骤;一对孔道金属进行光罩/蚀刻,以形成仅由孔道位置垂直外突之孔道金属的步骤;一实施上、下层金属间介电层沈积之步骤;一对晶片表面进行化学机械研磨,而使孔道金属上表面露出之步骤;及一溅镀形成上层或其他各层金属之步骤。2.如申请专利范围第1项所述之孔道金属形成方法,其中该下层金属之厚度约在5000A者。3.如申请专利范围第1项所述之孔道金属形成方法,其中该薄厚度之介电层之厚度为在500-1000A者。4.如申请专利范围第1或3项所述之孔道金属形成方法,其中该介电层可为氧化层。5.如申请专利范围第1或3项所述之孔道金属形成方法,其中该介电层可为电浆氧化层。6.如申请专利范围第1或3项所述之孔道金属形成方法,其中该介电层可为热氧化层。7.如申请专利范围第1或3项所述之孔道金属形成方法,其中该介电层可为化学气相沈积氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之孔道金属形成方法,其中该孔道金属之厚度约在8000A者。9.如申请专利范围第1项所述之孔道金属形成方法,其中该上、下金属层间之介电层之厚度约在10KA者。10.如申请专利范围第1项所述之孔道金属形成方法,其中该介电层可由电浆氧化层、旋施玻璃层及另一电浆氧化层依序沈积形成三层式构造。11.如申请专利范围第1项所述之孔道金属形成方法,其中该用以蚀刻孔道金属之光罩为采用该孔道光罩之反相型式之光罩。12.如申请专利范围第1或8项所述之孔道金属形成方法,其中该孔道金属可为铝、铝铜、铝矽铜或铝合金构成者。图式简单说明:第一图A-第一图G:系本发明之制法剖面示意图。第二图A-第二图F:系传统孔道之制法剖面示意图。 |
