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发明名称 METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON LAYER AND MANUFACTURE OF THIN-FILM TRANSISTOR USING THE SAME
摘要
申请公布号 JPH10321870(A) 申请公布日期 1998.12.04
申请号 JP19980110658 申请日期 1998.04.21
申请人 LG ELECTRON INC 发明人 MOON DAE-GYU
分类号 H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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