用于基板加工设备之原地真空管线清洁的平行平板装置

摘要

一种减少基材处理室之排气管路沈积之装置。该装置包含第一及第二电极具有两相对表面，其间界定一条流体导管。该流体导管包含一个入口、一个出口及一间介于入口与出口间之收集室。该装置联结于其入口供接收基材处理室之废气。收集室之构造及配置可收集流经流体导管之粒状物质及抑制粒状物质由收集室溢出。一个电浆产生系统供应电力给电极，而由流体导管内部之蚀刻剂气体形成电浆。源自电浆之成分与收集于收集室之粒状物质状物质反应形成气态产物，其可唧送出流体导管之外。该装置又包含一个静电收集室集室，可促进收集室之颗粒收集与进一步抑制粒状物质的溢出。

主权项

1.一种收集由基材处理室排放的颗粒之装置,该装置包括:第一及第二电极,各自具有相对表面,两表面间界定一条流体导管,该流体导管具有一个入口,一个出口及一个入口与出口间的收集室,收集室之构造及设置可收集流经流体导管的粒状物质,而抑制粒状物质由收集室的进入。2.如申请专利范围第1项之装置,其又包括一个电浆产生系统工作式耦合至电极供供应电力给电极,而由该流体导管内部的蚀刻剂气体形成或维持电浆。3.如申请专利范围第2项之装置,其又包括一种颗粒捕集系统工作式耦合至该等电极,供施加电压介于电极间而收集粒状物质于两相对电极面上。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该蚀刻剂气体,系于基材室清洁作业期间由基材处理室通过通风管路排放。5.如申请专利范围第3项之装置,其中至少部分蚀刻剂气体,系引进装置上游而由该基材处理室下游的通风管路内部。6.如申请专利范围第3项之装置,其中至少部分蚀刻剂气体系直接引进流体导管内部。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一电极之相对电极面具有表面积其系于第二电极之相对电极面表面积的95%以内。8.如申请专利范围第1项之装置,其中该流体导管包含第一及第二至少部分直立通路,分别连通收集室与入口及出口,供抑制粒状物质由收集室的进入。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该介于两相对电极面形成的流体导管界定多个收集室,依序形成于流体导管内部之介于入口与出口间。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该两相对电极面界定一条曲折流体导管。