| 主权项 |
1.一种单刀双投高隔离度高频切换开关,系以混合及厚膜技术制作成一具有高隔离度大于60db的高频信号切换器,该切换器之电路组成单元包括:一射频信号输入端,连接于一第一电容之一端,第一电容另端与接地间连接一第一电阻,且在其连接处分别与一第一二极体、一第二二极体之负端连接,其中第一二极体正端连接于一第三二极体之负端,第三二极体之正端连接于一第四二极体之正端,且在其连接处经一第二电阻连接于一电源选择输入端,第四二极体负端连接于一第五二极体之正端,第五二极体之负端连接于一第二电容之一端,且在其连接处与接地间连接一第三电阻;第二二极体正端连接于一第六二极体之负端,第六二极体之正端连接于一第七二极体之正端,且在其连接处经一第四电阻连接于另一电源选择输入端,第七二极体负端连接于一第八二极体之正端,第八二极体之负端连接于一第三电容之一端,且在其连接处与接地间连接一第五电阻;一第一射频信号输出端,连接于第二电容另端;及一第二射频信号输出端,连接于第三电容另端。2.如申请专利范围第1项所述之单刀双投高隔离度频切换开关,其中该切换开关之切换频率可高达2GHZ。图式简单说明:第一图系本创作之示意图。第二图系本创作内部电路元件连接之电路图。第三图系本创作之于示波器上量测切换器特性实测之波形图。 |
