| 主权项 |
1.一种电浆蚀刻制程的终点侦测装置,其中该电浆蚀刻制程的终点侦测装置系用来侦测含碳及氟的电浆(Fluorocarbon containing plasma)蚀刻制程的终点,包含:一讯号收集窗,该讯号收集窗系为一环状物且位于电浆蚀刻反应室内靠近矽晶片边缘的上方内壁,该讯号收集窗系为收集及放大电浆蚀刻制程的终点讯号之用;以及一单色光侦测仪,该单色光侦测仪系位于该反应室之外且与讯号收集窗相接,该单色光侦测仪系侦测电浆蚀刻制程的终点讯号之用。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中上述之单色光侦测仪所侦测讯号之光波长系为777nm。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中上述之讯号收集窗系为光纤管束所构成。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中上述之光纤管束更进一步包含外接至上述之单色光侦测仪。5.如申请专利范围第3项所述之装置,其中上述之光纤管束之材质包含氧化矽。图式简单说明:第一图所示为矽晶片的俯视结构图。第二图所示为传统的电浆蚀刻制程的终点侦测装置之剖面结构图。第三图所示为本发明的电浆蚀刻制程的终点侦测装置之俯视结构图。第四图所示为本发明的电浆蚀刻制程的终点侦测装置之剖面结构图。 |
