半导体基板之处理方法

摘要

一种半导体晶圆之气相蚀刻处理方法，本发明系由将反应氧体导入反应室内，将前述半导体晶圆蚀刻处理之工程，及将不活性氧体导入该反应室内，将反应室内压力恢复大气压之工程，及清洗半导体晶圆之工程，及乾燥半导体晶圆之工程，及将酒精氧导入前述反应室内之工程，而成。反应室内壁系保持５０～８０℃之一定温度。选择使用比该所定温度低１０℃以上沸点之酒精。由于使用不活性气体，可防止旋乾时之水印之发生。又由于将酒精气仅选择作用于室内壁面水滴，而可防止有械物污染，缩短乾燥时间约１０分之１。

主权项

1.一种半导体基板之处理方法,即在真空排气之反应室内处理半导体晶圆之方法,由:将反应气体导入前述反应室内,将前述半导体晶圆蚀刻处理之工程,及将不活性气体导入前述反应室内,将反应室内压力恢复大气压之工程,及清洗前述半导体晶圆之工程,及乾燥前述半导体晶圆之工程,及将沸点比前述反应室壁面温度低10℃以上之酒精气体导入该反应室内之工程而成。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中前述蚀刻工程之反应气体系HF或HF/H2O之混合气体。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中前述清洗工程及乾燥工程系以所定转数旋转前述半导体晶圆实施。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中前述乾燥工程系通以前述不活性气体实施。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中前述酒精系甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、异丙醇(isopropylalchohol)、三氟(trifluoro)异丙醇、五氟(pentaflnoro)异丙醇、或六氟(hexaflnoro)异丙醇之任一,或此等混合物。6.如申请专利范围第1项所述之方法,更含将半导体处理中之前述反应室壁面温度保持于50-80℃之一定温度之工程。图式简单说明:第一图实施本发明有关之方法之装置之断面图。