| 主权项 |
1.一种发送及/或接收光线之半导体本体的制造方法,半导体本体至少具有一由GaAsxP1-x(0≦x<1)所构成之半导体层,其特征为:半导体层表面之至少一部份在第一蚀刻步骤中以成份为H2SO4:H2O2:H2O蚀刻溶液来处理,且随后在第二蚀刻步骤中以氢氟酸来处理,使半导体层表面之至少一部份产生一种粗糙面(8)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中粗糙面(8)具有相邻配置之锯齿状形态。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中使用具有GaP-基体之半导体本体,在GaP-基体上沈积一种层序列(17,18),其至少具有一层以氮掺杂之GaP-磊晶层。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中使用具有GaP-基体之半导体本体,在GaP-基体上沈积一种层序列(17,18),其至少具有一层GaAsxP1-x-磊晶层(0<x<1)。5.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中半导体本体之整个空着的表面(7)具有粗糙面(8)。6.如申请专利范围第3项之方法,其中半导体本体之整个空着的表面(7)具有粗糙面(8)。7.如申请专利范围第4项之方法,其中半导体本体之整个空着的表面(7)具有粗糙面(8)。8.一种同时制造多个发送及/或接收光线之半导体本体的方法,半导体本体至少具有一由GaAsxP1-x(0≦x<1)或由GaP:N所构成之半导体层,其特征为:a)首先在由GaP所构成之基体晶圆(13)上沈积一种由GaAsxP1-x(0≦x<1)所构成之层序列(17,18),b)在基体晶圆(13)之下侧(14)沈积第一接触金属层(5)且在层序列(17,18)之上侧(15)至少沈积第二接触金属层(6),c)层序列(17,18)之空着的表面首先在第一蚀刻步骤中以成份为H2SO4:H2O2:H2O之蚀刻溶液来处理,且在第二蚀刻步骤中以氢氟酸(HF)来处理,使得在空着的表面上产生粗糙面(8)。d)由基体晶圆(13),层序列(17,18),第一(5)和第二(6)接触金属层所构成的半导体晶圆被分割成各别之半导体本体。9.一种同时制造多个发送及/或接收光线之半导体本体的方法,半导体本体至少具有一由GaAsxP1-x(0≦x<1)或由GaP:N所构成之半导体层,其特征为:a)首先在由GaP所构成之基体晶圆(13)上沈积一种由GaAsxP1-x(0≦x<1)所构成之层序列(17,18),b)在基体晶圆(13)之下侧(14)沈积第一接触金属层(5)且在层序列(17,18)之上侧(15)沈积多层第二接触金属层(6),c)由基体晶圆(13),层序列(17,18),第一(5)和第二(6)接触金属层所构成之半导体晶圆沈积在保持介质(16)上,d)半导体晶圆被分割成各别之半导体本体,e)半导体本体(17,18)之空着的表面首先在第一蚀刻步骤中以成份为H2SO4:H2O2:H2O之蚀刻溶液来处理,且在第二蚀刻步骤中以氢氟酸(HF)来处理,使得在空着的表面上产生粗糙面(8)。10.如申请专利范围第1,8或9项之方法,其中在第一蚀刻步骤中,蚀刻溶液中H2SO4:H2O2:H2O的比例是3:1:1,温度是介于15℃和80℃之间,蚀刻时间是介于半分钟和10分钟之间。11.如申请专利范围第1,8或9项之方法,其中在第二蚀刻步骤中,所选用的是40-50%之氢氟酸,温度是介于15℃和30℃之间,蚀刻时间是介于30分钟和120分钟之间。12.如申请专利范围第10项之方法,其中在第二蚀刻步骤中,所选用的是40-50%之氢氟酸,温度是介于15℃和30℃之间,蚀刻时间是介于30分钟和120分钟之间。图式简单说明:第一图依据本发明之第一实施例所制成之半导体本体的图解。第二图依据本发明之第二实施例所制成之半导体本体的图解。第三图依据本发明第一实施例同时制造多个具有粗糙表面之半导体本体的方法程序图。第四图依据本发明第二实施例同时制造多个具有粗糙表面之半导体本体的方法程序图。 |
