| 主权项 |
1.一种电子封装(70),其特征为:基底(52)及具有第一(72)及第二(76)相反表面之窗框架(54)以界定空穴(56);位于该基底(52)及该窗框架(54)间之引导框架(20);使该引导框架(20)结合于该基底(52)及该窗框架(54)之第一表面(72)上之第一种接着剂(22);一半导体装置(16),电气相互连接于该引导框架(20)上,其中该半导体装置(16)及一部份(18)之该引导框架(20)充塞该空穴(56)之一部份;及实质上充塞该空穴(56)之其余部份之聚合物(26),其中该聚合物(26)之最外表面(74)实质上系与该窗框架(54)之该第二表面(76)共平面。2.根据申请专利范围第1项之电子封装(70),其特性为该聚合物(26)系选自包含各种液体,凝胶及柔性塑料者。3.根据申请专利范围第2项之电子封装(70),其特点为该聚合物(26)为环氧树脂。4.根据申请专利范围第3项之电子封装(70),其特点为该环氧树脂(26)系以导热,电绝缘物质填充。5.根据申请专利范围第4项之电子封装(70),其特点为该基底(52)及该窗框架(54)均由铝合金形成,且至少部份涂布阳极处理层。6.一种电子封装(90,100),其特征为:基底(12)及顶盖(14)界定空穴(24);置于该基底(12)及该顶盖(14)间之引导框架(20);使该引导框架(20)结合于该基底(12)及该顶盖(14)二者之第一种接着剂(22);使半导体装置(16)黏结于该基底(12)之接着剂(31),该半导体装置(16)电气相互连接于该引导框架(20)上,其中该半导体装置(16)及一部份(18)之该引导框架(20)充塞该空穴(24)之一部份;及第二接着剂(92),置于该空穴(24)中,使半导体装置(16)黏结于顶盖(14)上,形成通过该封装(90,100)中心之一刚性柱(rigid beam)。7.根据申请专利范围第6项之电子封装(90,100),其特征为排放孔(94)经过该顶盖(14)之外围部份延伸。8.根据申请专利范围第7项之电子封装(90,100),其特征为该第二种接着剂(92)为环氧树脂。9.根据申请专利范围第7项之电子封装(90,100),其特征为该第二种接着剂(92)延伸于该半导体装置(16)之一面之至少一部份上。10.根据申请专利范围第9项之电子封装(90,100),其特征为该第二接着剂(92)延伸至该半导体装置(16)之外围之上,且包封电气相互连接该半导体装置(16)至该引导框架(20)上之结合线(28),经过由该线结合(28)形成之环之顶端(102),终止于在线结合(28)连接至内引线(18)处之点。11.根据申请专利范围第10项之电子封装(90,100),其特征为该第二种接着剂(92)延伸以包封该引导框架(20)之该部份(18)。12.根据申请专利范围第11项之电子封装(90,100),其特点为该电子封装(90,100)之厚度低于或等于约1.4mm。13.根据申请专利范围第12项之电子封装(90,100),其特点为该半导体装置(16)之下之该基底部份之厚度于或等于约0.25mm。14.根据申请专利范围第12项之电子封装(90,100),其特点为该基底(12)及该顶盖(14)二者均由铝合金形成,且至少部份涂布阳处理层。图式简单说明:第一图显示如先前技术已知之接着剂密封金属封装之剖面图。第二图显示依本发明之第一具体例之接着剂密封金属封装之剖面图。第三图显示本发明第二具体例之接着剂密封窗框架封装之剖面图。第四图显示依本发明具体例之充满窗框架封装之剖面图。第五图显示尚含晶粒附着片之申请专利范围第4项之窗框架之剖面图。第六图显示依本发明之另一具体例,具有增加刚性度之薄金属电子封装之剖面图。第七图显示第六图之电子封装具体例之剖面图,其中结合线经部份绝缘,以防止与金属顶盖接触。 |
