| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具备:准备形成有贯通孔且于此贯通孔之周围之第1主面上设有连接端子之元件支持基板,于前记第1主面及相对侧之第2主面上配置裸晶片之工程;以配置于前记元件支持基板之第2主面侧之盖构件及前记元件支持基板挟持前记裸晶片之工程;将前记裸晶片之元件电极及前记元件支持基板之连接端子通过前记贯通孔以检查用接合导线予以电气连接之工程;将前记元件支持基板之连接端子及检查基板之基板电极予以电气连接而检查前记裸晶片之工程;及检查后,将前记检查用接合导线之基板侧导线接合部附近予以固定,将前记裸晶片及前记检查用接合导线分离,将前记裸晶片自前记元件支持基板卸取之工程,藉前记检查而选别良品之裸晶片。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:检查后将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,于前记裸晶片之元件电极上不残留前记检查用接合导线之元件侧导线接合部地将两者剥离而分离。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:将前记检查用接合导线与前记裸晶片之元件电极之连接强度做成比前记检查用接合导线与元件支持基板之连接端子之连接强度小地予以连接,检查后将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,在前记裸晶片之元件电极上不残留前记检查用接合导线之元件侧导线接合部地将两者剥离而予以分离。4.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备于在中心部形成贯通孔且于此贯通孔之周围设有连接端子之元件支持基板之晶片支持部上配置裸晶片之工程;及藉配置于前记元件支持基板之晶片支持侧之盖构件及前记元件支持基板挟持前记裸晶片之工程;及将前记裸晶片之元件电极及前记元件支持基板之连接端子通过前记贯通孔藉检查用接合导线予以电气连接之工程;及将前记元件支持基板之连接端子及检查基板之基板电极予以电气连接而检查前记裸晶片之工程;及检查后,将前记检查用接合导线之基板侧导线接合部附近予以固定之同时,于前记裸晶片之元件电极上残留前记检查用接合导线之元件侧导线接合部,而将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离,将前记裸晶片自前记元件支持基板取出之工程,藉前记检查选别良品之裸晶片。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:检查后将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,将粘着胶带压碰于前记基板侧导线接合部附近并且将前记粘着胶带贴装于前记元件支持基板之连接端子面而将前记基板侧导线接合都固定后,自前记元件支持基板使前记裸晶片移动而将前记裸晶片与与前记检查用接合导线分离,分离后,使前记粘着胶带自前记元件支持基板脱离,使得板及前记检查用接合导线及前记裸晶片分离。6.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:检查后将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,将粘着胶带压碰于前记基板侧导线接合部附近并且将前记粘着胶带贴装于前记元件支持基板之连接端子面而将前记基板侧导线接合部固定后,自前记元件支持基板使前记裸晶片移动而将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离,分离后,使前记粘着胶带自前记元件支持基板脱离,使得板及前记检查用接合导线及前记裸晶片分离。7.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中:检查后将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,将粘着胶带压碰于前记基板侧导线接合部附近并且将前记粘着胶带贴装于前记元件支持基板之连接端子面而将前记基板侧导线接合部固定后,自前记元件支持基板使前记裸晶片移动,而将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离,分离后,使前记粘着胶带自前记元件支持基板脱离,使得前记检查用接合导线附着于前记粘着胶带而使前记元件支持基板及前记检查用接合导线及前记裸晶片分离。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:藉前记检查用接合导线将前记裸晶片之元件电极及前记元件支持基板之连接端子予以电气连接时,于前记检查用接合导线用铝线且藉起音波将两者连接。9.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:藉前记检查用接合导线将前记裸晶片之元件电极及前记元件支持基板之连接端子予以电气连接时,于前记检查用接合导线用铝线且藉起音波将两者连接。10.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果所得为良品向选别出之裸晶片之元件电极,及搭载前记裸晶片之元件搭载构件之导线部或实装基板之导线部,藉由金所成之接合导线予以电气连接而制造半导体装置。11.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果所得为良品向选别出之裸晶片之元件电极,及搭载前记裸晶片之元件搭载构件之导线部或实装基板之导线部,藉由金所成之接合导线予以电气连接而制造半导体装置。12.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果所得为良品而选别之裸晶片之电路形成面,及元件搭载构作之导线部相对向而将前记裸晶片搭载于前记导线部后,将前记裸晶片与前记导线部藉由金所成之接合导线予以电气连接,将前记裸晶片与前记接合导线藉封止树脂予以封止而制造半导体装置。13.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果所得为良品而选别之裸晶片之电路形成面,及元件搭载构作之导线部相对向而将前记裸晶片搭载于前记导线部后,将前记裸晶片与前记导线部藉由金所成之接合导线予以电气连接,将前记裸晶片与前记接合导线藉封止树脂予以封止而制造半导体装置。14.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果所得为良品而选别之裸晶片搭载于实装基板上,将前记裸晶片之元件电极与前记实装基板之导线部藉由金所成之接合导线予以电气连接后,将前记裸晶片与前记接合导线藉封止树脂予以封止而制造半导体装置。15.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果所得为良品而选别之裸晶片搭载于实装基板上,将前记裸晶片之元件电极与前记实装基板之导线部藉由金所成之接合导线予以电气连接后,将前记裸晶片与前记接合导线藉封止树脂予以封止而制造半导体装置。16.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:藉前记检查用接合导线将前记裸晶片之元件电极与前记元件支持基板之连接端子予以电气连接时,将前记元件支持基板之连接端子与前记检查用接合导线连接后,将前记裸晶片之元件电极与前记检查用接合导线予以连接。17.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:藉前记检查用接合导线将前记裸晶片之元件电极与前记元件支持基板之连接端子予以电气连接时,将前记元件支持基板之连接端子与前记检查用接合导线连接后,将前记裸晶片之元件电极与前记检查用接合导线予以连接。18.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:检查后,将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,吸引形成前记裸晶片之元件电极之电路形成面与相对侧之非电路形成面而将两者分离。19.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中:检查后,将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,吸引形成前记裸晶片之元件电极之电路形成面与相对侧之非电路形成面而将两者分离。20.一种半导体装置,系为一种搭载予先进行电气检查而为良品所选别之裸晶片之半导体装置,其特征在于:藉通过前记检查时所用之元件支持基板之贯通孔之检查用接合导线将前记裸晶片与前记元件支持基板予以连接而进行前记检查后,将前记检查用接合导线之基板侧导线接合部予以固定而将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离而取得之1个或多数个裸晶片被搭载,于前记裸晶片之元件电极上不残留前记检查用接合导线之元件侧导线接合部而将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,元件搭载构件之导线部或实装基板之导线部与前记元件电极被电气连接,于前记裸晶片之元件电极上残留前记元件侧导线接合部而将前记裸晶片与前记检查用接合导线分离时,藉前记元件侧导线接合部将前记导线部与前记元件电极被电气连接。21.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果为良品而选别之裸晶片之元件电极以及搭载前记裸晶片之元件搭载构件之导线部或实装基板之导线部,藉由金所成之接合导线被电气连接。22.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果为良品而选别之裸晶片之电路形成面与元件搭载构件之导线部相对向配置,同时,前记裸晶片之元件电极与前记导线部藉由金所成之接合导线被电气连接,且前记裸晶片与前记接合导线藉封止树脂被封止。23.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中:将于前记检查用接合导线用铝线进行前记检查之结果为良品而选别之裸晶片被实装于实装基板,同时,前记裸晶片之元件电极与前记实装基板之导线部藉由金所成之接合导线被电气连接,且前记裸晶片与前记接合导线藉封止树脂被封止。图式简单说明:第一图:本发明之实施形态1之半导体装置之构造之断面图。第二图:用于本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之元件支持构件之构造平面图。第三图:用于本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之裸晶片载体之构造平面图。第四图(a)、(b)、(c):实施形态1之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之接合方法之表示图,(a)、(b)为部分断面图,(c)为放大部分平面图。第五图:实施形态1之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之分离方法之表示图。第六图:实施形态1之半导体装置之制造方法之自接合导线分离之裸晶片之构方之放大部分平面图。第七图:用于实施形态1之半导体装置之制造方法之预烧板之构造之立体图。第八图(a)、(b):本发明之实施形态2之半导体装置之制造方法之接合导线与裸晶片之分离方法表示图,(a)为部分断面图,(b)为放大部分平面图。第九图:本发明之实施形态2之半导体装置之构造之部分断面图。第十图(a)、(b):本发明之实施形态3之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之分离方法之断面图。第十一图:本发明之实施形态3之半导体装置之构造之断面图。第十二图:本发明之实施形态4之半导体装置之构造之断面图。第十三图:用于本发明之实施形态5之半导体装置之制造方法之裸晶片载体之构造之断面图。第十四图:显示检查用接合线和裸晶片的接合状态的扩大部分截面图。第十五图:实施形态5之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之分离方法之断面图。第十六图:本发明之实施形态6之半导体装置之制造方法之接合方法之部分断面图。第十七图:用于实施形态6之半导体装置之制造方法之接合楔子之构造之部分正面图。第十八图:由本发明之实施形态7之半导体装置之制造方法之检查所得之裸晶片之构造之放大部分平面图。第十九图:由实施形态7之半导体装置之制造方法之检查所得之裸晶片与接合导线之接合状态之放大部分平面图。第二十图:由实施形态7之半导体装置之制造方法之检查所得之裸晶片与接合导线之接合状态之放大部分平面图。第二十一图:本发明之实施形态8之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之分离方法之断面图。第二十二图:实施形态8之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之分离方法之断面图。第二十三图:实施形态8之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与裸晶片之分离方法之断面图。第二十四图:实施形态8之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与元件支持基板之分离方法之断面图。第二十五图:实施形态8之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与元件支持基板之分离方法之断面图。第二十六图:实施形态8之半导体装置之制造方法之检查用接合导线与元件支持基板之分离方法之断面图。第二十七图:本发明之实施形态9之半导体装置之制造顺序之断面图。第二十八图:实施形态9之半导体装置之制造顺序之断面图。第二十九图:实施形态9之半导体装置之构造之断面图。第三十图:本发明之实施形态10之半导体装置之制造顺序之部分断面图。第三十一图:本发明之实施形态10之半导体装置之构造之部分断面图。第三十二图:用于本发明之实施形态11之半导体装置之制造方法之元件支持基板之构造之平面图。第三十三图:用于实施形态11之半导体装置之制造方法之元件支持基板之放大平面图。 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