| 主权项 |
1.一种降低可电离气态介质由电离状态返至非电离状态所需时间之方法,于定址资料元素之定址结构中,该定址结构包含一与电参考信号及贮存资料信号之资料元素相通之可电离气态介质,并包含电离机构,可选择性使可电离气态介质由非电离状态转变至电离状态以提供资料元素与参考电平间之可中断之电气连接,而选择性定址资料元素,该方法之特征在于:提供一气态混合物,其包含可电离气态介质及包括预定量碰撞匹配电离粒子之气体;及使电离机构容许可电离气态介质离开电离状态,且因而激态之可电离气态介质经过与碰撞匹配电离粒子之离子原子粒子碰撞而产生原子粒子,离子原子粒子碰撞降低亚稳态中可电离气态介质之原子粒子间可产生电离化之二次碰撞,故减少可电离气态介质出电离状态至非电离状态所需时间。2.如申请专利范围第1项之方法,其中碰撞匹配电离粒子包含碳粒子。3.如申请专利范围第1项之方法,其中碰撞匹配电离粒子之预定量为微量。4.如申请专利范围第1项之方法,其中碰撞匹配电离粒子为来自一氧化碳,二氧化碳,四氟化碳,甲烷及蒸自含碳表面之碳蒸气所构成组群之含碳化台物之碳粒子。5.如申请专利范围第1项之方法,其中可电离气态介质与碰撞匹配粒子各具原子能位,其彼此能位几乎一致。6.如申请专利范围第1项之方法,其中可电离气态介质含氦。7.如申请专利范围第6项之方法,其中碰撞匹配电离粒子单电离碳粒子。8.一种用于类比资料贮存元素之定址结构,特征在于:一气态混合物,包含可电离气态介质及预定量之碰撞匹配电离粒子,气态混合物与类比资料贮存元素及参考电平相通,且可电离气态介质于电离状态衰变至非电离状态时形成受激原子粒子,预定量之碰撞匹配电离粒子引导受激原子粒子与碰撞匹配电离粒子间之离子原子粒子碰撞,离子原子粒子碰撞乃减少可电离气态介质由电离状态返至非电离状态之衰变时间;及电离机构,可选择性使可电离气态介质由非电离状态转变至电离状态,并提供资料贮存元素与参考电平间之可中断电气连接,以选择性定址并施加一类比资料至类比资料贮存元素。9.如申请专利范围第8项之定址结构,其中碰撞匹配电离粒子含碳粒子。10.如申请专利范围第8项之定址结构,其中预定量之碰撞匹配电离粒子为微量。11.如申请专利范围第8项之定址结构,其中碰撞匹配电离粒子为取自基本由一氧化碳,二氧化碳,四氟化碳,甲烷及蒸自含碳表面之碳蒸气所构成群组之含碳化合物之碳粒子。12.如申请专利范围第8项之定址结构,其中可电离气态介质及碰撞匹配电离粒子各具有一原子能位,彼此之能位几乎一致。13.如申请专利范围第8项之定址结构,其中气态介质含氦。14.如申请专利范围第8项之定址结构,其中碰撞匹配电离粒子含单电离碳粒子。图式简单说明:第一图显示本发明实施例中,显示器板之显示面及显示器系统之相关驱动电路之前视图。第二图显示本发明实施例中形成显示器板之结构成份层之放大分解等角投影图,由第一图之左侧观察。第三图为放大分解前视图,部分拆解以显示第二图显示器板内部之不同深度情形。第四图为沿第三图线4-4之放大截面图。第五图为沿第三图线5-5之放大截面图。第六图为一等效电路,显示用于显示器系统中运用可电离气体作为一开关,以供例示之一列接受资料频闪脉冲及三例示接受资料驱动信号之资料行。第七图显示各式时间范围,以决定可由本发明实施例之显示器系统定址之最大资料条数。第八图显示氖气与氦气之资料捕捉时间之比较关系,为流动于电极间之电流函数,电极位于第二图-第五图之显示器板之通道间。第九图显示用于不同大小之资料频闪器脉冲之纯氦气之可电离气态衰变时间与电流之函数关系,电流于频闪脉冲时流动于第二图-第五图显示器板之通道内之电极之间。第十图为一等效电路,显示利用可电离气态作为一电开关,与资料驱动电路合作形成可选择性由记忆元件写入及读出资料之定址结构。第十一图A-第十一图F显示激发可电离气态混合物由非导通状态至导通状态之化学反应及可电离气态混合物衰变过程使气态混合物返至非导电状态。第十二图显示纯氦气及包含氦体及碳气成份之可电离气体混合物之衰变时间图。第十三图显示氦与碳粒子之碰撞匹配原子位阶。 |
