| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL GATE INSULATING LAYER |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR100214539(B1) |
申请公布日期 |
1999.08.02 |
| 申请号 |
KR19960071297 |
申请日期 |
1996.12.24 |
| 申请人 |
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
YANG, HAE-WAN |
| 分类号 |
H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
