| 发明名称 |
STRUCTURE DE COUCHES BARRIERE COMPORTANT DEUX COUCHES ET PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>Un procédé de formation d'une structure de couches barrière sur un substrat semiconducteur (30) sur lequel se trouve une couche conductrice (31), comprend la formation d'une couche diélectrique (32) sur la couche conductrice et le substrat puis la formation d'une ouverture (33) dans la couche diélectrique, pour mettre à nu la couche conductrice; la formation d'une première couche barrière (34), contenant du silicium, sur les côtés de l'ouverture et sur la région environnante; et la formation d'une seconde couche barrière (35) sur la première couche barrière.</P>
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| 申请公布号 |
FR2774809(A1) |
申请公布日期 |
1999.08.13 |
| 申请号 |
FR19980012017 |
申请日期 |
1998.09.25 |
| 申请人 |
UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
YEW TRI RUNG;LUR WATER;SUN SHIH WEI;HUANG YIMIN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/768;H01L23/528 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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