发明名称 THIN FILM STRUCTURED SENSOR
摘要 Es wird ein Sensor in Dünnfilmbauweise vorgeschlagen, der eine dielektrische Trägerschicht (21), auf der eine Platin enthaltende Schicht (23) angeordnet ist und mindstens eine darauf angeordnete Deckschicht (25) aufweist, wobei mindstens eine Oberfläche der Platin enthaltenden Schicht (23) zumindest bereichsweise mit einer zusätzlichen Haftschicht (22) aus Silizium versehen ist.
申请公布号 WO9941573(A1) 申请公布日期 1999.08.19
申请号 WO1999DE00368 申请日期 1999.02.11
申请人 ROBERT BOSCH GMBH;TREUTLER, CHRISTOPH;MAREK, JIRI;KOBER, HANS-FRIEDEMANN;STEINER, WERNER 发明人 TREUTLER, CHRISTOPH;MAREK, JIRI;KOBER, HANS-FRIEDEMANN;STEINER, WERNER
分类号 G01F1/684;G01F1/692;G01K7/18;(IPC1-7):G01F1/692 主分类号 G01F1/684
代理机构 代理人
主权项
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