Es wird ein Sensor in Dünnfilmbauweise vorgeschlagen, der eine dielektrische Trägerschicht (21), auf der eine Platin enthaltende Schicht (23) angeordnet ist und mindstens eine darauf angeordnete Deckschicht (25) aufweist, wobei mindstens eine Oberfläche der Platin enthaltenden Schicht (23) zumindest bereichsweise mit einer zusätzlichen Haftschicht (22) aus Silizium versehen ist.
申请公布号
WO9941573(A1)
申请公布日期
1999.08.19
申请号
WO1999DE00368
申请日期
1999.02.11
申请人
ROBERT BOSCH GMBH;TREUTLER, CHRISTOPH;MAREK, JIRI;KOBER, HANS-FRIEDEMANN;STEINER, WERNER
发明人
TREUTLER, CHRISTOPH;MAREK, JIRI;KOBER, HANS-FRIEDEMANN;STEINER, WERNER