| 主权项 |
1.一种形成隔离区域之方法,至少包含:形成一垫氧化层于一半导体基板上;形成一第一氮化矽层于该垫氧化层上;以一光阻层定义并蚀刻以形成一主动区域于该第一氮化矽层及该垫氧化层内;除去部份该垫氧化层,以形成底切(undercut)于该第一氮化矽层及该半导体基板之间;形成一氧化矽层于该半导体基板上;形成一复晶矽层,以包围住该第一氮化矽层、该垫氧化层及该氧化矽层;形成一第二氮化矽层于该复晶矽层上;除去部份该第二氮化矽层,以形成一氮化矽间隙壁于该复晶矽层之侧壁上;以该复晶矽层/该氮化矽间隙壁为遮罩,以除去部份之该复晶矽层、该氧化矽层及该半导体基板;及以该复晶矽层/该氮化矽间隙壁为遮罩,以形成一隔离区域于该半导体基板上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述除去部份该半导体基板之厚度大约介于0至200埃之间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述底切之横向深度大约介于0至1000埃之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述除去部份该半导体基板之方法为活性离子蚀刻法(RIE)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述除去部份该半导体基板之方法为电浆蚀刻法。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底切系以湿蚀刻法所形成,并以稀释氟化氢溶液作为蚀刻液。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底切系以湿蚀刻法所形成,并以缓冲氧化矽蚀刻液(BOE)作为蚀刻液。8.一种形成隔离区域之方法,至少包含:形成一垫氧化层于一半导体基板上;形成一第一氮化矽层于该垫氧化层上;以一光阻层定义并蚀刻以形成一主动区域于该第一氮化矽层及该垫氧化层内;除去部份该垫氧化层,以形成底切(undercut)于该第一氮化矽层及该半导体基板之间;形成一复晶矽层,以包围住该第一氮化矽层、该垫氧化层及该半导体基板;形成一第二氮化矽层于该复晶矽层上;除去部份该第二氮化矽层,以形成一氮化矽间隙壁于该复晶矽层之侧壁上;以该复晶矽层/该氮化矽间隙壁为遮罩,以除去部份之该复晶矽层及该半导体基板;及以该复晶矽层/该氮化矽间隙壁为遮罩,以形成一隔离区域于该半导体基板上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述除去部份该半导体基板之厚度大约介于0至200埃之间。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述底切之横向深度大约介于0至1000埃之间。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述除去部份该半导体基板之方法为活性离子蚀刻法(RIE)。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述除去部份该半导体基板之方法为电浆蚀刻法。13.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之底切系以湿蚀刻法所形成,并以稀释氟化氢溶液作为蚀刻液。14.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之底切系以湿蚀刻法所形成,并以缓冲氧化矽蚀刻液(BOE)作为蚀刻液。15.一种形成隔离区域之方法,至少包含:形成一垫氧化层于一半导体基板上;形成一第一氮化矽层于该垫氧化层上;以一光阻层定义并蚀刻以形成一主动区域于该第一氮化矽层及该垫氧化层内;除去部份该垫氧化层,以形成底切(undercut)于该第一氮化矽层及该半导体基板之间;形成一氧化矽层于该半导体基板上;形成一复晶矽层,以包围住该第一氮化矽层、该垫氧化层及该氧化矽层;形成一第二氮化矽层于该复晶矽层上;除去部份该第二氮化矽层,以形成一氮化矽间隙壁于该复晶矽层之侧壁上;以该复晶矽层/该氮化矽间隙壁为遮罩,以除去部份之该复晶矽层及该氧化矽层;及以该复晶矽层/该氮化矽间隙壁为遮罩,以形成一隔离区域于该半导体基板上。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述底切之横向深度大约介于0至1000埃之间。17.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之底切系以湿蚀刻法所形成,并以稀释氟化氢溶液作为蚀刻液。18.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之底切系以湿蚀刻法所形成,并以缓冲氧化矽蚀刻液(BOE)作为蚀刻液。图式简单说明:第一图显示半导体基底之剖面图。第二图显示除去部份氮化矽层及垫氧化层后之剖面图。第三图显示除去部份垫氧化层以形成底切(undercut)于氮化矽层及半导体基板之间。第四图显示形成另一氧化矽层于半导体基底上。第五图显示形成复晶矽层之剖面图。第六图显示形成氮化矽层于第五图之结构上。第七图显示回蚀氮化矽层以形成间隙壁。第八图显示形成凹陷于半导体基板内。第九图显示形成场氧化区域。第十图显示制造金属氧化半导体电晶体于场氧化区域之间。 |
