| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 复数之半导体晶片,分别于元件形成面上配置着复 数之电极焊垫; 引线框,包括:半导体晶片搭载板,令上述复数之半 导体晶片中的至少两个彼此背面对向,而将上述半 导体晶片搭载于其两面;复数之引线,与上述电极 焊垫间进行电性信号的交换; 配线图型,设在上述半导体晶片搭载板的至少一面 ,且有一定之图型; 绝缘材料,用以将上述半导体晶片搭载板与上状配 线图型加以绝缘; 第1导线,用以将上述栈数之半导体晶片中的至少 一个半导体晶片之电极焊垫和上述配线图型予以 电性连接;及 第2导线,用以将上述配线图型和上述引线予以电 性连接。2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其 中: 上述引线框包含二个由复数之上述引线所构成的 引线群,上述二个引线群彼此对向配置; 于上述复数之半导体晶片中,附着于上述半导体晶 片搭载板且彼此背面对向的至少两个半导体晶片 系约略成四边形; 上述半导体晶片搭载板系配置于上述二个引线群 之间,且使上述对向的半导体晶片各自以其四个侧 边中的一组对向之侧边分别与上述二个引线群互 相对向的方式搭载之; 上述电极焊垫的至少一部分系配置于:对上述引线 群内的至少一个引线而言,除了和包含该一引线的 引线群对向的半导体晶片侧边以外的该半导体晶 片之其他侧边附近的元件形成面上;上述配线图型 系被图型化成电性连接该引线与电极焊垫的图型 。3.如申请专利范围第2项的半导体装置,其中: 于上述复数之半导体晶片中,彼此背面对向的两个 半导体晶片系为彼此形状相同且电极焊垫的配置 、形状相同的晶片; 于上述半导体晶片的侧边之中,在绕着与上述引线 群对向的侧边相平行的轴线,将上述半导体晶片中 之一者予以旋转180度的位置,配置着上述半导体晶 片中之另一者。4.如申请专利范围第3项的半导体 装置,其中: 于上述复数之半导体晶片中,彼此背面对向的两个 半导体晶片中的一个,其电极焊垫系介由上述配线 图型而连接于上述引线;另一方面,上述对向的两 个半导体晶片中的另一个,其对应电极焊垫系不介 由上述配线图型而连接于上述引线。5.如申请专 利范围第2项的半导体装置,其中: 于上述配线图型中,将和上述第1导线之连接部与 和上述第2导线之连接部予以连结的配线,系被图 型化为包含一配线群,该配线群系平行于未和上述 引线群相对向而上下对向的半导体晶片之侧边。6 .如申请专利范围第2项的半导体装置,其中: 于上述配线图型中,将和上述第1导线之连接部与 和上述第2导线之连接部予以连结的配线,系被图 型化为包含一配线群,该配线群系对于未和上述引 线群相对向而上下对向的半导体晶片之侧边成弯 曲状。7.如申请专利范围第2项的半导体装置,其中 : 于上述配线图型中,将和上述第1导线之连接部与 和上述第2导线之连接部予以连结的配线,系被图 型化为包含一配线群,该配线群系对于未和上述引 线群相对向而上下对向的半导体晶片之侧边成倾 斜状。8.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中 : 上述引线框包含二个由复数之上述引线所构成的 引线群,上述二个引线群彼此对向配置; 于上述复数之半导体晶片中,附着于上述半导体晶 片搭载板且彼此背面对向的至少两个半导体晶片 系约略成四边形; 上述半导体晶片搭载板系配置于上述二个引线群 之间,且使上述对向的半导体晶片各自以其四个侧 边中的一组对向之侧边分别与上述二个引线群互 相对向的方式搭载之; 上述电极焊垫的至少一部分,构成以和上述引线群 中的至少一个引线群内的引线在所须电性信号之 顺序上相异的排列,配置于上述半导体晶片之侧边 附近的元件形成面上的电极焊垫所组成之电极焊 垫群;上述配线图型系被图型化成使其引线群与电 极焊垫群被连接成令上述电性信号成为一致。9. 如申请专利范围第8项的半导体装置,其中: 于上述复数之半导体晶片中,彼此背面对向的半导 体晶片为彼此相同的晶片; 于上述半导体晶片的侧边之中,在绕着和上述引线 群非对向的侧边相平行的轴线,将上述半导体晶片 中之一者予以旋转180度的位置,配置着上述背面对 向的半导体晶片中之另一者。10.如申请专利范围 第9项的半导体装置,其中: 于上述对向之半导体晶片中之一者,电极焊垫介由 上述配线图型而连接于上述引线;然于上述对向之 半导体晶片中之另一者,对应之电极焊垫未介由上 述配线图型而连接于上述引线。11.如申请专利范 围第8项的半导体装置,其中:上述配线图型包含和 沿着一边的半导体晶片之一个边对向的电极群之 排列方向延伸的部分。12.如申请专利范围第11项 的半导体装置,其中:上述配线图型为平行于上述 电极群之排列方向而延伸。13.如申请专利范围第8 项的半导体装置,其中:上述配线图型系被图型化 为:对于未和该引线群对向的半导体晶片侧边成平 行的轴成对称的图型。14.如申请专利范围第1项的 半导体装置,其中: 上述引线框包含四个由复数之上述引线所构成的 引线群,上述四个引线群系配置成形成两组彼此对 向的引线群之组; 于上述复数之半导体晶片中,附着于上述半导体晶 片搭载板且彼此背面对向的至少两个半导体晶片 系约略成四边形; 上述半导体晶片搭载板系被上述四个引线群所包 围而配置,且使上述对向的半导体晶片各自以其四 个侧边分别与上述四个引线群对向的方式而搭载 着上述半导体晶片; 上述电极焊垫的至少一部分系配置于:对上述引线 群内的至少一个引线而言,除了和包含该一引线的 引线群对向的半导体晶片侧边以外的该半导体晶 片之其他侧边附近的元件形成面上;上述配线图型 系被图型化成可电性连接该引线与电极焊垫的图 型。15.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中: 上述引线框包含四个由复数之上述引线所构成的 引线群,上述四个引线群系配置成形成两组彼此对 向的引线群之组; 于上述复数之半导体晶片中,附着于上述半导体晶 片搭载板且彼此背面对向的至少两个半导体晶片 系约略成四边形; 上述半导体晶片搭载板系被上述四个引线群所包 围而配置,且使上述对向的半导体晶片各自以其四 个侧边分别与上述四个引线群对向的方式而搭载 着上述半导体晶片; 上述电极焊垫的至少一部分,构成以和上述引线群 中的至少一个引线群内的引线在所须电性信号之 顺序上相异的排列,配置于上述半导体晶片之侧边 附近的元件形成面上的电极焊垫所组成之电极焊 垫群;上述配线图型系被图型化成使其引线群与电 极焊垫群被连接成令上述电性信号成为一致。16. 如申请专利范围第1项的半导体装置,其中:上述配 线图型系于上述半导体晶片搭载板的面中,避开搭 载于设有上述配线图型之侧的面之半导体晶片的 存在领域,而设于上述半导体晶片搭载板的周边部 。17.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中:上 述配线图型及上述绝缘材料,系于上述半导体晶片 搭载板的面中,避开搭载于设有上述配线图型及上 述绝缘材料之侧的面之半导体晶片的存在领域,而 设于上述半导体晶片搭载板的周边部。18.如申请 专利范围第1项的半导体装置,其中: 上述引线框包含用以运送该引线框的支架; 上述半导体晶片搭载板系被形成为至少较该支架 的厚度为薄。19.如申请专利范围第1项的半导体装 置,其中: 上述复数之半导体晶片中,附着于上述半导体晶片 搭载板且彼此背面对向的至少两个半导体晶片,系 为相同晶片尺寸及相同矽基板的晶片,并以相同的 基板电位动作。20.如申请专利范围第1项的半导体 装置,其中: 上述复数之半导体晶片中,附着于上述半导体晶片 搭载板且彼此背面对向的至少两个半导体晶片,系 为相异晶片尺寸者。21.如申请专利范围第20项的 半导体装置,其中: 上述半导体晶片系为相异矽基板。22.如申请专利 范围第20项的半导体装置,其中: 上述半导体晶片系为以相异基板电位动作者。23. 如申请专利范围第1项的半导体装置,其中: 上述绝缘材料及上述配线图型系以晶圆加工形成 者,且包含于上述半导体晶片搭载板的至少一面和 上述半导体晶片并排搭载的半导体基板;且 上述半导体晶片的电极焊垫系介由上述配线图型 及上述第1.第2导线而与上述引线电性连接。24.如 申请专利范围第1项的半导体装置,其中:于设在上 述半导体晶片搭载板上的上述配线图型上,包含将 配线彼此相互电性连接的第3导线。25.如申请专利 范围第24项的半导体装置,其中: 于上述半导体晶片搭载板上形成有两个以上之配 线图型群,各配线图型群包含一个以上的上述配线 图型; 上述一个配线图型群的至少一部分,与另外的上述 一个配线图型群的至少一部分,系介由上述第3导 线予以电性连接。26.如申请专利范围第24项的半 导体装置,其中: 上述配线图型包含:第1及第2配线图型,大致设于平 面上且彼此电性独立;及第3配线图型,具有一个以 上的配线图型,起设于上述第1配线图型及第2配线 图型之间; 上述第1及第2配线图型系介由第3导线予以电性连 接。27.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中 包含: 密封材料,用以将上述复数之半导体晶片及半导体 晶片搭载板予以密封;及 包覆被膜,由相异于上述密封材料的材料所构成, 覆盖在形成于上述半导体晶片搭载板上的上述配 线图型的至少一部分。28.如申请专利范围第27项 的半导体装置,其中:上述包覆被膜与上述配线图 型的接合力,较上述密封材料与上述配线图型的接 合力为大。29.如申请专利范围第1项的半导体装置 ,其中包含: 密封材料,用以将上述复数之半导体晶片及半导体 晶片搭载板予以密封;及 包覆被膜,由相异于上述密封材料的材料所构成, 覆盖在上述半导体晶片搭载板至少一部分,俾使上 述半导体晶片搭载板与上述密封材料的直接接触 面积减小。30.如申请专利范围第29项的半导体装 置,其中:上述包覆被膜与上述半导体晶片搭载板 的接合力,较上述密封材料与上述半导体晶片搭载 板的接合力为大。图式简单说明: 第一图为显示依本发明一实施形态的半导体装置 之一构成例的平面透视图。 第二图为上述半导体装置的侧面透视图。 第三图(a)及第三图(b)为各半导体晶片的平面图。 第四图为显示引线框的平面图。 第五图(a)-第五图(e)为显示上述半导体装置的制造 步骤的侧面透视图。 第六图(a)-第六图(d)为显示上述半导体装置的第五 图(e)后之制造步骤的侧面透视图。 第七图为显示本发明的另一实施形态的半导体装 置之平面透视图,该半导体装置的构造为:在和半 导体晶片搭载领域及其外用部附近已完成开设窗 口的单层配线基板相接合的晶粒焊垫正反两面搭 载有半导体晶片。 第八图为上述半导体装置的侧面透视图。 第九图(a)-第九图(e)为显示上述半导体装置的制造 步骤的侧面透视图。 第十图(a)-第十图(d)为显示上述半导体装置的第九 图(e)后之制造步骤的侧面透视图。 第十一图为显示本发明的又另一实施形态的半导 体装置之平面透视图,该半导体装置的构造为:在 半导体晶片搭载用基板上区分为两个配线图型群 而形成有配线图型,包含有将构成其中一个配线图 型群的配线图型与构成其他配线图型群的配线图 型予以电性连接的金属线。 第十二图为上述半导体装置的侧面透视图。 第十三图为显示本发明的另一实施形态的半导体 装置之平面透视图,该半导体装置的构造为:介由 预先设置于晶粒焊垫的绝缘材料,将半导体晶片搭 载领域及其外周部附近已完成开设窗口的单层配 线基板接合于晶粒焊垫。 第十四图为上述半导体装置的侧面透视图。 第十五图(a)-第十五图(e)为显示上述半导体装置的 制造步骤的侧面透视图。 第十六图(a)-第十六图(d)为显示上述半导体装置的 第十五图(e)后之制造步骤的侧面透视图。 第十七图为显示一半导体装置之平面透视图,该半 导体装置的构造为:在接合于二分割配线基板的晶 粒焊垫之正反两面搭载有半导体晶片。 第十八图为上述半导体装置的侧面透视图。 第十九图为显示本发明的又另一实施形态的半导 体装置之平面透视图,该半导体装置的构造为:在 接合于双层配线基板的晶粒焊垫之正反两面搭载 有半导体晶片。 第二十图为上述半导体装置的侧面透视图。 第二十一图(a)及第二十一图(b)为各半导体晶片的 平面图。 第二十二图(a)-第二十二图(e)为显示上述半导体装 置的制造步骤的侧面透视图。 第二十三图为显示一半导体装置之平面透视图,该 半导体装置的构造为:在和半导体晶片搭载领域及 其外周部附近已完成开设窗口的双层配线基板相 接合的晶粒焊垫正反两面搭载有半导体晶片。 第二十四图为上述半导体装置的侧面透视图。 第二十五图为显示一半导体装置之平面透视图,该 半导体装置的构造为:介由预先设置于晶粒焊垫的 绝缘材料,将半导体晶片搭载领域及其外周部附近 已完成开设窗口的双层配线基板接合于晶粒焊垫 。 第二十六图为上述半导体装置的侧面透视图。 第二十七图为显示一半导体装置之平面透视图,该 半导体装置的构造系:为求使半导体晶片彼此绝缘 而采用清漆状的绝缘材料,配线基板的尺寸较晶粒 焊垫为大。 第二十八图为上述半导体装置的侧面透视图。 第二十九图(a)-第二十九图(c)为显示上述半导体装 置的制造步骤的剖视图。 第三十图为显示于晶粒焊垫之正反两面接合配线 基板的半导体装置之平面透视图。 第三十一图为上述半导体装置的侧面透视图。 第三十二图为显示本发明的又另一实施形态的半 导体装置之平面透视图,该半导体装置的构造为: 半导体晶片搭载用基板上之配线图型包含约略在 水平面上彼此电性独立的第1.第2配线群,且包含用 以电性连接第1与第2配线的金属线。 第三十三图为上述半导体装置的侧面透视图。 第三十四图为显示本发明的又另一实施形态的半 导体装置之平面透视图,该半导体装置的构造为: 在引线框的半导体晶片搭载用基板的一面,将以晶 圆加工形成有绝缘层与配线图型的半导体基板和 半导体晶片并排搭载。 第三十五图为上述半导体装置的侧面透视图。 第三十六图为显示本发明的又另一实施形态的半 导体装置之平面透视图,该半导体装置具有依下述 方式形成的构造:藉由与密封树脂相异的包覆树脂 被膜包覆在形成于半导体晶片搭载用基板的配线 图型的一部分,并为使半导体晶片搭载用基板与直 接密封树脂的接触面积减小而包覆在半导体晶片 搭载用基板的一部分。 第三十七图为上述半导体装置的侧面透视图。 第三十八图为习用之一晶片一封装的半导体装置 之平面透视图。 第三十九图为上述留用半导体装置的侧面透视图 。 第四十图为习用之二晶片一封装的半导体装置之 平面透视图。 第四十一图为上述习半导体装置的侧面透视图。 第四十二图为另一个习用之一晶片一封装的半导 体装置之平面图。 |
