| 主权项 |
1.一种相移式光罩的结构,该结构包括: 一透明基板; 一不透光层,形成在该透明基板上;以及 一埋入式相移层,形成在该透明基板中。2.如申请 专利范围第1项所述之结构,其中该透明基板包括 石英。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该 不透光层包括铬。4.如申请专利范围第1项所述之 结构,其中该埋入式相移层系为掺杂离子的区域( doped region)。5.如申请专利范围第1项所述之结构, 其中该不透光层系为分布在该透明基板上不连续 的剖面结构,暴露出部分该透明基板。6.如申请专 利范围第5项所述之结构,其中该相移层系位于该 不透光层所暴露出的部分该透明基板中。7.如申 请专利范围第6项所述之结构,其中该相移层系交 替出现,位于该不透光层所暴露出的该透明基板中 。8.一种相移式光罩的制造方法,该方法包括: 提供一透明基板; 在该透明基板上形成一不透光层; 进行微影步骤,在该透明基板与该不透光层上形成 一光阻层,并定义该光阻层的图案,暴露出部分该 透明基板;以及 进行离子植入步骤,以该光阻层为罩幕,在该透明 基板中形成一埋入式相移层,并去除该光阻层。9. 如申请专利范围第8项所述之方法,其中该透明基 板包括石英。10.如申请专利范围第8项所述之方法 ,其中该不透光层包括铬。11.如申请专利范围第8 项所述之方法,其中该埋入式相移层系为掺杂离子 的区域(doped region)。12.如申请专利范围第8项所述 之方法,其中该不透光层系为分布在该透明基板上 不连续的剖面结构,暴露出部分该透明基板。13.如 申请专利范围第12项所述之方法,其中该埋入式相 移层系位于该不透光层所暴露出的部分该透明基 板中。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中 该埋入式相移层系交替出现,位于该不透光层所暴 露出的该透明基板中。图式简单说明: 第一图,其所绘示的为习知一种相移式光罩的剖面 示意图;以及 第二图A,其所绘示的为对应第一图,当光线通过相 移式光罩时所产生的电场分布示意图; 第二图B,其所绘示的为对应第一图,当光线通过相 移式光罩时所产生的光强度分布示意图;以及 第三图A与第三图B,其所绘示的为根据本发明之一 较佳实施例,一种交替式相移光罩制造方法的剖面 示意图。 |
