| 主权项 |
1.一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,包含有:对该细胞单元使用一个第一程式脉波,该脉波有一个选定的第一脉波宽度及一个第一脉波高度,使得该细胞单元不可能被过度程式处理;决定该细胞单元是否己程式处理,以回应该第一程式脉波;且,假如不是的话,对该细胞单元使用一个程式重试脉波;决定该细胞单元是否己程式处理,以回应该程式重试脉波;且,假如不是的话,对该细胞单元重覆使用另一个程式重试脉波,且决定该细胞单元是否己程式处理,直到决定该细胞单元己程式处理或已执行了一个最大的重试次数为止;其中,该程式重试脉波根据一个图案具有个别且变化的脉波宽度与脉波高度,且至少其中的一个重试脉波其脉波宽度宽于第一脉波宽度,及脉波高度高于第一脉波高度,如此选取的图案使得该细胞单元在该图案的第一阶段内可能被程式处理,包括前置决定的重试次数小于该重试次数的最大値。2.如专利申请范围第1项所述之一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,在该图案里的重试脉波分别有由个别的脉波宽度与脉波高度决定的能量,且该脉波之个别能量连续维持常値或在该图案的第一阶段期间增加。3.如专利申请范围第2项所述之一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,该脉波宽度在第一阶段维持常値且高于第一脉波宽度,及在第一阶段期间,该脉波高度连续增加。4.如专利申请范围第3项所述之一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,在第一阶段之后,该脉波的能量高于第一阶段的最后一个脉波的能量。5.如专利申请范围第1项所述之一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,该脉波高度有一个控制闸极,一个源极及一个汲极,而第一程式脉波及程式重试脉波系由供应一个负电压到控制闸极,及一个可变电压到汲极,使得Fowler-Nordhein通道被感应而向浮闸细胞单元放电。6.一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,包含有一个记忆阵列,该阵列有复数个浮闸细胞单元;供应电路,与该记忆阵列相耦合,该电路使用电压至该复数个程式重试脉波,来程式处理在该记忆阵列里的复数个浮闸细胞单元;复数个位元闩掣,与该记忆阵列里的位元线相耦合,该位元闩掣提供一个储存资料缓冲区给一个集合,该集合至少包括该记忆阵列里之一列的浮闸细胞单元的一部分;以及,自动的程式电路,与该记忆阵列,供应电路及复数个位元门闩相耦合,该程式电路程式处理在被选到的字元线及在位元线上的细胞单元,该位元线与一个储存着一个程式値的位元闩掣相耦合,该程式电路包括执行下列功能的电路:使用一个第一脉波宽度及第一脉波高度的集合,使得该细胞不可能被过度程式控制;决定该细胞单元是否己程式处理,以回应该第一程式脉波;且,假如是的话,复归该对应的位元闩掣,及假如不是的话,使用一个程式重试脉波;决定该细胞单元是否己程式处理,以回应该程式重试脉波;且,假如是的话,复归该对应的位元闩掣,及假如不是的话,对该细胞单元重覆使用另一个程式重试脉波,且决定该细胞单元是否己程式处理,及复归己程式处理的位元闩掣,直到复数个位元闩掣内的所有位元闩掣皆被复归或已执行了一个最大的重试次数为止;其中,该程式重试脉波根据一个图案具有个别且变化的脉波宽度与脉波高度,且至少其中的一个重试脉波其脉波宽度宽于第一脉波宽度,及脉波高度高于第一脉波高度。7.如专利申请范围第6项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中:复数个浮闸细胞单元的每一列包括一个第一页及第二页;并且,该集合包括浮闸细胞单元的一页。8.如专利申请范围第6项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中:该记忆细胞单元包括至少M条字元线及至少N条位元线,该位元线与该复数个浮闸细胞单元相耦合;以及,该复数个位元闩掣,对该复数条位元线的每一条包括一个位元闩掣,其中N>32。9.如专利申请范围第8项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中该图案被选取,使得该细胞单元在该图案的第一阶段内可能被程式处理,包括前置决定的重试次数小于该重试次数的最大値,而N>500,且该图案的第一阶段在千分之一秒内完成。10.如专利申请范围第9项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中N>1000。11.如专利申请范围第6项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中该图案被选择,使得该细胞单元在该图案的第一阶段内可能被程式处理,包括前置决定的重试次数小于该重试次数的最大値,且在该图案里的重试脉波分别有由个别的脉波宽度与脉波高度决定的能量,且该脉波之个别能量连续维持常値或在该图案的第一阶段期间增加。12.如专利申请范围第11项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中,该脉波宽度在第一阶段维持常値且高于第一脉波宽度,及在第一阶段期间,该脉波高度连续增加。13.如专利申请范围第11项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中,在第一阶段之后,该脉波的能量高于第一阶段的最后一个脉波的能量。14.如专利申请范围第6项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的装置,其中,该脉波高度有一个控制闸极,一个源极及一个汲极,而第一程式脉波及程式重试脉波系由供应一个负电压到控制闸极,及一个可变电压到汲极,使得Fowler-Nordhein通道被感应而令浮闸细胞单元放电。15.一种程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,该记忆阵列有M列和N行的浮闸记忆细胞单元,该方法包含下列步骤:下载一列的输入资料到该积体电路上的一个页缓冲区;选取一列的记忆细胞单元,用来将该输入资料程式处理置于该列的记忆细胞单元;读取该列的记忆细胞单元,以确认该列的记忆细胞单元之输入资料程式处理;复归在页缓冲区内的输入资料,而该资料系已经程式处理确认成功之该列内的记忆细胞单元;且假如该资料仍保留一个程式値在该页缓冲区内,则对该列内的记忆细胞单元,使用一个程式重试脉波,而该细胞单元系对应于保有一个程式値于该页缓冲区内的输入资料;读取该列的记忆细胞单元,以确认该列的记忆细胞单元之输入资料程式处理;以及,复归在页缓冲区内的输入资料,而该资料系已经程式处理确认成功之该列内的记忆细胞单元;且假如该资料仍保留一个程式値在该页缓冲区内,则交替地对该细胞单元使用另一个程式重试脉波,且读取及复归已经程式处理之细胞单元的输入资料,直到决定该列已被程式处理或已执行了一个最大的重试次数为止;其中,该程式重试脉波根据一个图案具有个别且变化的脉波宽度与脉波高度,且至少其中的一个重试脉波其脉波宽度宽于第一脉波宽度,及脉波高度高于第一脉波高度。16.如专利申请范围第15项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,更包含一个步骤:在记忆细胞单元列内的N个行里选取一个子集合,用以程式处理该输入资料。17.如专利申请范围第15项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中之程式处理包括下列步骤:当一个资料程式状态储存于该页缓冲区内时,改变储存于浮闸记忆细胞单元内的充电状态。18.如专利申请范围第15项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,该图案被选取,使得该细胞单元在该图案的第一阶段内可能被程式处理,包括前置决定的重试次数小于该重试次数的最大値,且有由个别的脉波宽度与脉波高度决定的能量,且该脉波之个别能量连续维持常値或在该图案的第一阶段期间增加。19.如专利申请范围第18项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,该脉波宽度在第一阶段维持常値且高于第一脉波宽度,及在第一阶段期间,该脉波高度连续增加。20.如专利申请范围第18项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,在第一阶段之后,该脉波的能量高于第一阶段的最后一个脉波的能量。21.如专利申请范围第15项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中,该脉波高度有一个控制闸门,一个源极及一个汲极,而第一程式脉波及程式重试脉波系由供应一个负电压到控制闸极,及一个可变电压到汲极,使得Fowler-Nordhein通道被感应而向浮闸细胞单元放电。22.如专利申请范围第15项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中:该记忆细胞单元包括至少M条字元线及至少N条位元线,该位元线与该复数个浮闸细胞单元相耦合;以及,该复数个位元闩掣,对该复数条位元线的每一条包括一个位元闩掣,其中N>32。23.如专利申请范围第22项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中该图案被选取,使得该细胞单元在该图案的第一阶段内可能被程式处理,包括前置决定的重试次数小于该重试次数的最大値,而N>500,且该图案的第一阶段在千分之一秒内完成。24.如专利申请范围第23项所述之程式处理快闪式记忆体细胞单元的方法,其中N>1000。图式简单说明:第一图系本发明之浮闸积体电路记忆体的结构图。第二图系一个浮闸记忆细胞单元的简图,描述程式的运作。第三图系描述一个重试脉波图案,其中,脉波形状随图案中高度和宽度而异。第四图系一个逻辑方块图,根据本发明产生该重试脉波图案。第五图系一个比较图,将单独使用一个增加脉波宽度,与本发明之使用一个可变的脉波宽度与脉波高度的实施效果相比较。第六图系一个比较图,将单独使用一个增加脉波高度,与本发明之使用一个增加脉波宽度与脉波高度的实施效果相比较。第七图系本发明之一个较佳实施例之示意图,其中系使用如第八图至第十一图的架构。第八图系利用本发明之快闪电洗可程式唯读记忆体细胞单元的阵列结构图。第九图系本发明之具有页程式及自动确认与重试电路的一个快闪电洗可程式唯读记忆体阵列的结构方块图。第十图系快闪电洗可程式唯读记忆体阵列内的两个记忆体细胞单元之一段的页程式及自动确认电路的概要图。第十一图系本发明之使用一个重试脉波形状图案一个页程式及自动确认运作的流程图。 |
