| 主权项 |
1.一种用以处理于涂覆耐蚀膜后再加以烘烤之晶圆的方法,该方法包含如下步骤:将该晶圆置于湿度维持不小于80%之高湿度环境中一段预定的时间,俾令该耐蚀膜的湿度迅速增高而形成一高湿度的耐蚀膜;及将该晶圆由该高湿度环境取出而存放于一无尘室中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶圆系置于温度维持不低于室温之环境中至少约10分钟。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶圆系置于湿度维持不低于90%之环境中至少约5分钟。4.一种形成一耐蚀膜图形之方法,该方法包含下列步骤:在晶圆上涂覆一耐蚀膜以在后续之步骤中烘烤该晶圆;将该晶圆置于湿度维持不小于80%之高湿度环境中一段预定的时间,俾令该耐蚀膜的湿度迅速增高而形成一高湿度的耐蚀膜;将该晶圆由该高湿度环境取出而存放于一无尘室;将在晶圆上之该耐蚀膜置于一曝光系统中并将其曝光;及将在晶圆上之耐蚀膜显像以形成一耐蚀膜图形。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该耐蚀膜包含一化学感光耐蚀膜。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该晶圆被置于一温度维持在不低于室温之高湿度环境中至少约10分钟。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该晶圆被置于一湿度维持在不低于90%之高湿度环境中至少约5分钟。图式简单说明:第一图系传统储存方法之化学感光负性耐蚀膜尺寸相对于储存时间〝Th〞之变化图形,在前述之储存时间中已被烘烤之涂有耐蚀膜之晶圆被储存直到储存之耐蚀膜被送入曝光系统中。第二图系一依照本发明之新颖的方法形成一耐蚀膜图形之流程图。第三图系依照本发明之第一实施例之化学感光耐蚀膜尺寸相对于储存时间〝Th〞之变化图形,在前述之储存时间中已被烘烤之涂有耐蚀膜之晶圆被储存在一维持不少于80%之湿度且温度为23℃之环境中直到储存之耐蚀膜被送入曝光系统中。第四图系依照本发明之第二实施例之化学感光耐蚀膜尺寸相对于储存时间〝Th〞之变化图形,在前述之储存时间中已被烘烤之涂有耐蚀膜之晶圆被储存在一维持90%之湿度且温度为45℃之环境中直到储存之耐蚀膜被送入曝光系统中。 |
