| 主权项 |
1.一种用以在沉积具有至少二个层的膜时降低第二氧化矽层的表面灵敏度的方法,该方法包含有下列步骤:将一晶圆置入腔室内;将包含有TEOS和O2的第一制程气体注入至该腔室内;将RF能量施用至该第一制程气体内,以形成电浆,而在该晶圆上形成该膜的第一电浆增强氧化矽CVD衬料层;在次大气压下,将包含有TEOS和O3的第二制程气体注入至该腔室内;供应热能至该第二制程气体内,以在该晶圆上沉积出该膜的第二氧化矽层;以及在该第一和第二氧化矽层沉积过程之间,以一种自一包含氮气之处理用制程气体得到的处理用电浆来对该第一电浆增强氧化矽CVD层做电浆处理,其中该处理用制程气体系仅由单一RF频率加以激发且处在≦约0.8托的一低压下。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该电浆处理步骤进一步包含有:将氮气注入至该腔室内做为该处理用气体,以形成该处理用电浆。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该电浆处理步骤进一步包含有:将一种自包含有NH3.N2O、NO2等的气体族群中选出的气体注入至该腔室内做为该处理用气体,以形成该处理用电浆。4.一种基体处理系统,该系统包含有:一个壳体,用以构成一真空腔室;一基体固定器,位在该壳体内,用以固定一基体;一基体加热系统,用以供应热能来加热该基体;一气体排放系统,用以将制程气体注入至该腔室内;一气体配送系统,连接至该气体排放系统,用以将该制程气体自多个先质气体和液体源加以配送至该气体排放系统内;一RF电源供应器,连接在该基体固定器和该气体排放头之间,以供供应RF能量来形成电浆;一真空系统,用以降低该真空腔室内的压力;一系统控制器,包括有一个电脑,用以控制该气体配送系统、该RF电源供应器和该真空系统;以及一个记忆体,连接至该控制器上,包含有一种可供电脑使用的介质,其内具有一个可为电脑读取的程式码装置在其内执行,以供导引该基体处理系统的运作,该可为电脑读取之程式码装置包括有:可为电脑读取的程式码装置可使得该气体配送系统将一种包含有TEOS和O2的第一制程气体注入至该腔室内,并使得该RF电源供应器来以RF能量激发该第一制程气体,而在该基体上沉积出该膜的第一电浆增强CVD氧化矽衬料层;可为电脑读取的程式码装置可使得该气体配送系统将一种包含有TEOS和O3的第二制程气体在次大气压下注入至该腔室内,并且使该基体加热系统提供热能,以在该第一电浆增强CVD氧化矽衬料层上面沉积出该膜的第二SACVD氧化矽衬料层;以及可为电脑读取的程式码装置可使得该气体配送系统将一种处理用气体在小于约0.8托的压力下注入至该腔室内,并使该RF电源供应器以单一RF频率来激发该处理用气体来形成一处理用电浆,以供在第一和第二氧化矽层的沉积过程中间,对该第一层做电浆处理,以降低该第二SACVD氧化矽层的表面灵敏度。5.根据申请专利范围第4项之系统,其中:该用以造成第一电浆增强CVD氧化矽衬料层之电浆处理作业的可为电脑读取之码装置包括有可使该气体配送系统将氩气做为该处理用气体来加以供应的可为电脑读取之码装置。6.根据申请专利范围第4项之系统,其中:该用以造成第一电浆增强CVD氧化矽衬料层之电浆处理作业的可为电脑读取之码装置包括有可使该气体配送系统将氮气做为该处理用气体来加以供应的可为电脑读取之码装置。7.根据申请专利范围第4项之系统,其中:该用以造成第一电浆增强CVD氧化矽衬料层之电浆处理作业的可为电脑读取之码装置包括有可使该气体配送系统来供应一种自包含有NH3.N2O、NO2等之气体族群中选出的处理用气体的可为电脑读取之码装置。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该处理用制程气体中的该氮气系由一包含有N2的气体所提供。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该处理用制程气体中的该氮气系由一种选自由NH3.N2O、NO2组成的气体族群中的气体所提供。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该处理用电浆在一13.56Mz的RF频率下激发该处理用制程气体。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该腔室系于该第一氧化矽层沉积与该电浆处理作业期间被排空。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中该腔室系于该电浆处理作业与该第二氧化矽层沉积期间被排空。13.根据申请专利范围第8项之方法,其中该处理用制程气体进一步包含氦气。14.根据申请专利范围第9项之方法,其中该处理用制程气体进一步包含氦气。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中一可操作地耦接至该基体处理腔室的真空泵系统于该电浆处理作业期间以最大容量运作,使得该压力的一个下限可单独由该处理用制程气体的流率来决定。图式简单说明:第一图是根据本发明之实施例使用的范例性CVD处理腔室的剖面图。第一图A是系统控制器的前面板的图示。第一图B是系统监视器的图示。第一图C是制程控制电脑程式的流程图。第二图是根据本发明之积体电路600的简化剖面图。第三图是一流程图,显示出在使用根据本发明方法的实施例所形成之膜所采取的步骤。第四图是一图形,显示出由单一频率低压氩电浆处理法处理过的晶圆的DRR和WERR。第五图是一图形,显示出由单一频率低压N电浆处理法处理过的晶圆的DRR和WERR。第六图是一图形,显示出在电浆处理法中,DRR和WERR对于N压力的依赖性。 |
