| 主权项 |
1.一种在化学机械研磨时于两具有不同移除速率的材料之界面上避免碟形凹陷(dishing)之方法,包含:提供一基板,部分覆盖以具有一第一移除速率的一第一层;选择性地沈积一第二层,具有一大于该第一移除速率的第二移除速率,仅覆盖该第一层;沉积一第三层,具有一小于该第二移除速率而大于该第一移除速率之第三移除速率,覆盖于该基板及该第二层上,该第二层因而形成该第一与该第三层间的界面;提供侦测移除速率改变的装置;然后以化学机械研磨法移除材料,直到该装置侦测到该第一层之移除已经开始时为止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一层为氮化矽或氮化硼。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二层为多晶矽、磷矽玻璃、或硼磷矽玻璃。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三层为氧化矽。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二层之移除速率相对于该第一层之移除速率约在30与100倍之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二层之移除速率相对于该第三层之移除速率约在1.3与5倍之间。7.一种在制造积体电路时填充一沟槽之制程,包含:提供一矽基板;提供装置用以在化学机械研磨时侦测材料移除速率之改变;在该矽基板之一表面上形成一层热氧化物;在该层热氧化物上沉积一层氮化矽;在该层氮化矽上沉积一层过渡材料,其化学机械研磨之移除速率大于氮化矽与化学气相沉积之氧化物;形成一沟槽,具有壁面与宽度,延伸通过该过渡层、氮化矽、热氧化物而进入该矽基板一深度内;沉积一层化学气相沉积之氧化物,厚度足以将该沟槽填过头,并完全覆盖该过渡层;以及藉由化学机械研磨法移除材料,直到该装置侦测到已开始该氮化矽层之移除。8.如申请专利范围第7项之制程,其中该层氮化矽沉积之厚度约在0.1与0.2微米之间。9.如申请专利范围第7项之制程,其中该过渡层沉积之厚度约在300与1500A之间。10.如申请专利范围第7项之制程,其中该层化学气相沉积之氧化物所沉积之厚度约在0.7与1.2微米之间。11.如申请专利范围第7项之制程,其中该沟槽深度约在0.3与0.5微米之间。12.如申请专利范围第7项之制程,其中该沟槽宽度约在0.25与20微米之间13.如申请专利范围第7项之制程,其中该沟槽各壁之斜度约在80与87之间。14.如申请专利范围第7项之制程,其中该过渡层为多晶矽、磷矽玻璃、或硼磷矽玻璃。15.如申请专利范围第7项之制程,其中该用以侦测移除速率改变之装置并含监视研磨马达所吃电流或监视研磨垫温度之装置。图式简单说明:第一图a与第一图b绘示已往技术形成并填充一沟槽的方法,包括所形成的碟形凹陷(dishing)效应。第二图示出叠置的各层,以准备按照本发明形成沟槽并加以填充。第三图示出在平面化步骤之前所形成且填过头的沟槽。第四图示出一已填充且平面化的没有碟形凹陷(dishing)的沟槽。 |
