| 主权项 |
1.一种使用于场发射显示器之单元驱动装置,其运用被动矩阵指示方法,其中,该场发射显示器包含一个具有一个阴极与一个闸极电极之场发射装置,与一个输出由外界提供之数位化信号作为资讯信号之资讯驱动装置,其包括:一种提供电流给阴极以回应来自于资讯驱动装置之资讯信号的电流模式DAC装置;与一种高电压分离装置,其连接于电流模式DAC装置与阴极电线之间,用于避免一个瞬间高电压供应给电流模式DAC装置藉此保护电流模式DAC装置,其中,瞬间高电压产生于闸极电线与阴极电线之间,以回应由闸极控制装置衍生的闸极控制信号。2.如申请专利范围第1项之单元驱动装置,其中,该电流模式DAC装置包含一群平行地相互连接之低电压NMOS电晶体。3.如申请专利范围第2项之单元驱动装置,其中,于一群NMOS电晶体之中,与最低之NMOS电晶体之通道宽度比较,接下来的NMOS电晶体会调整至具有以由最低之NMOS电晶体产生之电流値2n倍数增加之电流値,以反应提供给这些NMOS电晶体相同之闸极电压,n为零或一个正整数。4.如申请专利范围第1项之单元驱动装置,其中,高电压分离装置包含一个高电压MOS装置。5.如申请专利范围第4项之单元驱动装置,其中,高电压MOS装置为一个NMOS电晶体。6.如申请专利范围第1项之单元驱动装置,闸极控制信号在耦合至电流模式DAC装置之资讯信号之前,提供给高电压分离装置。7.如申请专利范围第1项之单元驱动装置,更包含一种避免浮接装置,用于避免高电压分离装置当瞬间高电压供应给阴极电线时处于浮接状态。8.如申请专利范围第7项之单元驱动装置,其中,避免浮接装置包括:第一个连接于闸极控制装置的一个输入终端与高电压分离装置的一个输出终端之间之MOS装置;与第一个MOS装置串联连接藉一换流器并有一部份与闸极控制装置输入终端结合之第二个MOS装置;第三个MOS装置,其与第二个MOS装置串联连接,并有一部份与闸极控制装置输入终端结合。9.如申请专利范围第8项之单元驱动装置,于其中第一个MOS装置为一个PMOS电晶体。10.如申请专利范围第8项之单元驱动装置,于其中第二个与第三个MOS装置分别为NMOS电晶体。11.如申请专利范围第7项之单元驱动装置,于其中避免浮接装置包括:一个换流器,连接至闸极控制装置之输入终端,用于换流由控制装置产生之控制信号;与一个连接于高电压分离装置与一个接地源极之间之MOS装置并切换开启/关闭反应换流器之输出。12.如申请专利范围第11项之单元驱动装置,于其中MOS装置为一个NMOS电晶体。图式简单说明:第一图显示一个传统场发射显示器之结构;第二图显示一个本发明第一个实施例中场发射显示器之单元驱动装置;第三图为第二图中单元驱动装置使用之信号时序示意图;且第四图描述一个本发明第二个实施例中场发射显示器之单元驱动装置。 |
